公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN103314438A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180064459.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 上野胜典 ,  贺屋秀介

IPC: H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/085 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明目的在于提供一种氮化物系半导体装置，其防止MOS型器件的栅绝缘膜的损坏，并且提高了可靠性。设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24）连接，从而电短路。由此，在向栅电极（28）输入截止信号时，MOSFET部（32）变为截止状态，从而MOSFET部（32）的漏侧的电压接近漏电极（26）的电压值。在漏电极（26）的电压上升时，SBD金属电极（30）的电压值低于MOSFET部（32）的漏侧的电压值，所以通过SBD金属电极（30）对MOSFET部（32）的漏侧和漏电极（26）进行电切断。

公开(公告)号：CN102792449B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。