-
公开(公告)号：CN101503826A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910111002.7
申请日：2009-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/08
Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。
-
公开(公告)号：CN119546012A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411610705.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/854 , H10H20/853 , H10H20/855 , H10H20/85 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制备方法，其中封装结构包括：三维陶瓷基板，具有凹槽，所述的凹槽具有底部、内侧壁和上表面；深紫外LED芯片，安装在所述三维陶瓷基板的凹槽底部；氟树脂，填充在三维陶瓷基板的凹槽内，并且覆盖在所述的深紫外LED芯片的上表面和侧壁周围，所述的氟树脂为羧基化的氟树脂；光学透镜，安装在深紫外LED芯片和氟树脂之上，并且边缘固定于三维陶瓷基板的上表面上或者侧壁上。通过使用氟树脂和光学透镜来辅助实现光子的提取和汇聚，提升器件在紫外灭活等领域的应用效果，并通过氟树脂的粘附性，提升封装结构的可靠性，并同时提升出光效率和降低成本。
-
公开(公告)号：CN118076215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410220448.8
申请日：2024-02-28
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变或稳定为单极性，并且降低开启电压和延长循环寿命。本发明可有效提升该类忆阻器的性能，拓宽该类忆阻器的应用场景，促进基于二维材料的忆阻器在大规模神经网络运算电路中的应用。
-
公开(公告)号：CN113437191B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
-
公开(公告)号：CN114383821A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111665174.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880522B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910972267.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。
-
公开(公告)号：CN111063753B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
-
公开(公告)号：CN112864289A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110188161.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种低电流Micro LED芯片外延结构，包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/InGaN量子阱有源层以及p型GaN层，其中所述InGaN/InGaN量子阱有源层的周期数为2个，且所述InGaN/InGaN量子阱有源层之上不设置电子阻挡层。跟传统工作在大电流、大功率下的LED外延结构相比，本发明提供的Micro‑LED芯片的外延结构及其制备方法可提高电子与空穴的注入效率、载流子匹配效果、内量子效率，最终提高了Micro‑LED芯片的整体发光效率，可解决Micro‑LED芯片随着尺寸减小而效率降低的难题，在超高分辨率的Micro‑LED新型显示技术中具有很大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN111293134A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
-
公开(公告)号：CN111063753A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
153
records
(took 0.031 seconds)
