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公开(公告)号：CN109860354B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811624876.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ‑Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。
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公开(公告)号：CN110854247A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911132448.8
申请日：2019-11-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS扫描微镜的发射方向可控的蓝光微LED器件及其制造方法，实现载体为蓝宝石衬底氮化物晶片和绝缘体上硅（SOI）晶片，蓝宝石衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的蓝宝石衬底层，蓝宝石衬底层通过激光剥离技术将其剥离，顶层氮化物和镍/金电极构成阵列式微LED器件，SOI晶圆片顶层设置有MEMS扫描微镜，并通过阳极键合技术将扫描微镜与微LED集成，本发明在MEMS微镜上集成了阵列式微LED，可以做可见光通信或显示用的光源，也可以在可见光通信里作为光电接收模块。
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公开(公告)号：CN110568216A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910852966.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种同质集成光电子装置。所述同质集成光电子装置包括：衬底；能源模块，位于所述衬底表面，包括激光发射器、聚光单元、第一量子阱二极管和储能电容；所述聚光单元用于将所述激光发射器发射的第一光信号汇聚至所述第一量子阱二极管；所述第一量子阱二极管用于将接收到的所述第一光信号转换为第一电信号后存储于所述储能电容中，以向传感模块供能；传感模块，用于将外界的传感信号转换为第二电信号。本发明提高了光电子装置的集成度，改善了光电子装置的性能。
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公开(公告)号：CN110113101A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910328584.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/40
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种可见光通信装置。所述可见光通信装置包括：收发模块，包括发射光源，所述发射光源用于向外界发射第一光信号；处理模块，包括至少一驱动电路和至少一恒流电路，所述驱动电路中包括至少一MOS管；所述恒流电路连接所述发射光源的输入端，用于向所述发射光源传输恒电流信号；所述MOS管连接所述发射光源的输出端，用于控制所述发射光源是否导通，以提高所述发射光源的响应速率。本发明大幅度提高所述可见光通信装置的通信速率。
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公开(公告)号：CN110071204A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910328596.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种用于透明显示屏的发光二极管及其制备方法。所述用于透明显示屏的发光二极管包括：外延层，包括下接触层、量子阱层和上接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，所述量子阱层位于所述上台面；绝缘层，覆盖于所述外延层表面，所述绝缘层中包括第一开口和第二开口；透明电极，自所述第二开口延伸至覆盖所述下台面的绝缘层表面，所述透明电极包括填充于所述第二开口内的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部；第一电极，填充于所述第一开口；第二电极，覆盖于所述第二端部表面。本发明提高了发光二极管的出光效率，进而有效改善了透明显示屏的显示质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920786A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189150.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种同质集成光电子装置。所述同质集成光电子装置包括：衬底；能源模块，位于所述衬底表面，包括至少一个第一量子阱二极管器件，用于将自外界环境中接收到的光能转换为电能；通信模块，位于所述衬底表面，包括至少一组第一通信单元，所述第一通信单元包括两个第二量子阱二极管器件以及连接于两个所述第二量子阱二极管器件之间的第一光波导；控制模块，位于所述衬底外部，且连接所述能源模块和所述通信模块，用于存储来自于所述能源模块的所述电能，并向所述通信模块提供所述电能。本发明实现了光电子装置能源的自供给，扩大了光电子装置的应用领域。
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公开(公告)号：CN109841714A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
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公开(公告)号：CN109508786A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811155728.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种学习、记忆和判决识别的光子类脑器件及其制备方法，该器件包括从下至上依次设置的Si衬底层、外延缓冲层、n-GaN层、设置在n-GaN层上的n-电极、波导、发射端和接收端，n-电极构成公共端，发射端分别通过波导与接收端连接，接收端与n-电极直接连接，发射端分别通过波导与n-电极连接，发射端、接收端和波导下方设置有贯穿Si衬底层、外延缓冲层到n-GaN层中的空腔。本发明以光子取代电子作为信息载体来模拟神经元和突触中神经递质的传输。模拟人脑整合不同模态的感知信息从而做出最优化的判断，实现模拟人脑的自我学习，记忆和判决。
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公开(公告)号：CN105428305B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510816501.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导探测器单片集成器件。本发明器件将光源、光波导和光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，实现平面光子单片集成器件，应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号：CN108234021A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711458774.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/60 , H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种基于量子阱二极管器件的音频接收系统，包括音频信号驱动电路、半导体器件LED、音频信号接收放大电路；音频信号驱动电路输出端与半导体器件LED相连接；音频信号接收放大电路输入端与半导体器件LED相接；半导体器件LED自身产生光信号的同时，也可以接收到外界的光信号；音频信号接收放大电路，其输入信号通过一个运算放大器AD8092AR通过反馈电路进行放大，进行输出。半导体器件LED发光的同时可以进行数据的接收，适用于通信设备资源有限的场景，可用于制作可感光屏幕。
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