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公开(公告)号：CN112071355A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011258715.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种提高故障覆盖率的自适应BIST测试方法，通过SRAM测试控制模块、故障预分析模块和算法生成模块实现。SRAM测试控制模块控制待测SRAM存储阵列的工作电压、温度以及工艺等，使得SRAM在不同的工作环境下暴露出更多的故障行为，减少故障的逃逸率；故障预分析模块用来提前对存储阵列中可能发生的故障进行预判断，判断结果输入算法生成模块，算法生成模块重构出当前环境下存储阵列的最优算法，并生成新的BIST电路，对存储阵列进行高效快速的故障测试。该技术突破传统算法的局限性，可以提高故障覆盖率并降低测试成本。
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公开(公告)号：CN119692268B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510206482.4
申请日：2025-02-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/333
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计技术领域，公开了一种基于BIST的TSV测试诊断电路及方法，提供了一种用于TSV测试和诊断的硬件电路架构，包含测试访问端口控制器、测试数据寄存器、测试向量生成器、移位寄存器、双边沿触发器、TSV测试控制器和改进的加载芯片包装寄存器、捕获芯片包装寄存器，其中测试访问端口控制器负责配置测试路径、测试模式和测试使能信号，测试使能经双边沿触发器同步后激活TSV测试控制器，控制基于无损压缩结构改进的芯片包装寄存器执行测试，实现故障高效检测与不同故障类型的诊断。本发明通过测试向量生成与响应压缩协作，有效降低了测试时间，为高效、可靠的TSV测试与诊断提供了创新性解决方案。
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公开(公告)号：CN119959742A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510452840.X
申请日：2025-04-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于MIV故障测试的内建自测试电路及MIV故障测试方法，该电路用于在测试模式下检测单片三维集成电路底层与顶层之间的待测MIV阵列，包括测试控制器、地址解码模块、向量发生器、数据传送装置、故障诊断模块和故障定位模块，其中向量发生器用于产生长度为N的1/0序列、0/1序列、00/11序列和11/00序列的测试向量。本发明能够通过两组测试向量快速切换，检测复杂分布的MIV中的开路故障、固定故障、延迟故障和可能出现的短路故障，并对故障MIV进行精确定位。
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公开(公告)号：CN117872103B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410269404.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/3185 , G11C29/56 , G11C29/54
Abstract: 本发明公开了一种通用测试芯粒，用于对若干个待测芯粒进行测试，测试芯粒包括芯粒测试控制电路模块、测试数据分发电路模块、存储器测试配置电路模块和芯粒测试接口电路模块；芯粒测试控制电路模块用于为待测芯粒提供测试数据、配置测试模式；测试数据分发电路模块用于从测试数据总线分发每个所述待测芯粒所需的测试数据；存储器测试配置电路模块用于为待测芯粒的存储器提供测试电路，自动生成测试矢量；芯粒测试接口电路模块用于通过芯粒测试接口为待测芯粒在上下左右任意方向传输测试数据；本发明将芯粒系统所需的共享的测试资源嵌入其中，满足芯粒系统测试即插即用的策略，为芯粒系统提供了全面、灵活、高效的测试方案。
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公开(公告)号：CN117634263A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311832424.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F111/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出一种多目标芯片塑封工艺参数优化方法，该方法包括(1)建立转注成型工艺的芯片有限元模型，确定最佳材料种类和进浇口方案；(2)选取试验所需工艺参数和所需优化质量指标，筛选综合影响质量指标的重要工艺参数；(3)利用响应面法、最优拉丁超立方抽样分别设计试验；(4)拟合设计变量与响应变量，基于不同相关函数分别构建代理模型，并检验模型精度是否满足要求；(5)采用多目标优化算法进行寻优，将最佳工艺参数进行反馈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116663465B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310739359.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/3315 , G06F30/3308 , G06N3/04 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及集成电路技术，公开基于深度学习的考虑MIS效应的单元统计延时模型构建方法，属于计算、推算或计数的技术领域。该方法：在考虑SIS和MIS的情况下，对门单元进行SPICE MC仿真，获取不同条件下的MIS延迟和SIS延迟的均值和标准差；使用深度学习方法构建预测MIS延时均值与SIS延时均值的差值以及和MIS延时标准差与SIS延时标准差的差值的ANN模型，并揭示MIS延时和SIS延时的均值和标准差的差异的表示；将基于深度学习的模型集成到现有的时序库中。本发明通过利用深度学习预测MIS延时均值和SIS延时均值差异以及MIS延时标准差和SIS延时标准差的差异，实现考虑MIS效应的统计时序建模。
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公开(公告)号：CN115529023A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211471940.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H11/12
Abstract: 本发明公开了一种带直流失调消除的滤波器电路，包括第一、第二滤波器和第一、第二直流失调分量提取电路；所述第一、第二滤波器级联，且该两个滤波器均为二阶滤波器，该两个滤波器结构相同，均包括带直流失调消除的跨导放大器，跨导放大器，第一~四电容和第一~八电阻；所述直流失调分量提取电路用于提取滤波器输出信号中的直流失调分量，并将该直流失调分量放大后传输至滤波器中的带直流失调消除的跨导放大器，滤波器中的带直流失调消除的跨导放大器将失调电压转换成失调电流。本发明可应用于低功耗射频收发系统中，实现更低的电路功耗。
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公开(公告)号：CN115469214A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211342979.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于电路低功耗测试领域，公开了一种基于扫描链分段控制的低功耗扫描测试电路，包括若干个扫描链电路和若干个门控时钟模块，每个所述扫描链电路包括若干个扫描寄存器，每个扫描链电路中的下一级扫描寄存器的扫描输入端SI连接上一级寄存器的扫描输出端SO；每个扫描链均匀划分为若干段，同一段中的每个扫描寄存器时钟端均连接同一个门控时钟模块，通过该门控时钟模块来控制其连接的扫描寄存器的开启或关闭，实现降低电路整体信号翻转数量，从而降低测试功耗；同时，设计了一种控制链，用来给门控时钟模块的门控信号赋值，从而大大降低了需要增加的测试端口数量。
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公开(公告)号：CN112865789B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110215720.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种超低功耗数字温度传感器，包括环形振荡器、采样元件、占空比控制器和计数器；所述环形振荡器的输出端连接计数器的时钟输入端；所述采样元件的输出端连接占空比控制器的输入端；所述占空比控制器的一个输出端连接计数器的复位输入端，占空比控制器的另一个输出端连接采样元件的复位输入端。本发明利用栅极泄漏电流驱动感温元件和采样元件，实现超低功耗工作。在保证低于nW的功耗下，同时降低了每次转换的能耗，优化了分辨率FoM，解决了低功耗和低能耗之间的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN113014248B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110215718.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/173 , G01K7/22
Abstract: 本发明公开了一种超小面积温度传感器，包括RC滤波器、二阶积分器、压控振荡器、相位产生器和计数器；其中，RC滤波器的VP输出端与二阶积分器的VP输入端连接，RC滤波器的VN输出端与二阶积分器的VN输入端连接；二阶积分器的输出端连接压控振荡器的输入端；所述压控振荡器的输出端分别连接计数器的输入端、相位产生器的输入端；所述相位产生器的输出端连接RC滤波器、二阶积分器，相位产生器产生三个反馈控制信号，复位信号ΦRST和充放电信号ΦDCHG接入RC滤波器，积分信号ΦINT接入二阶积分器。本发明在保证超小面积的情况下，获得了更优的分辨率FoM，解决了传统FLL中过零检测器和电荷泵引起的噪声和精度问题。
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