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公开(公告)号：CN118761337A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411253438.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/045 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种温度循环荷载下基于机器学习模型的封装焊点可靠性预测方法，包括如下步骤：S1. 建立封装结构模型；S2. 利用有限元分析软件对模型进行温度循环仿真；S3. 提出影响焊点应力值的特征量，并确定特征量的范围；S4. 将特征量和输出结果组成数据集，并对数据集进行预处理；S5. 利用神经网络模型训练，并预测出不同温度循环条件和不同焊点特征下的最大应力位置以及最大应力值。本发明通过有限元分析描述焊点力学响应，利用机器学习模型提出了一种更加高效、灵活且准确率高的焊点可靠性预测方法。
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公开(公告)号：CN118940693B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
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公开(公告)号：CN118709468A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410708606.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , H01L21/60 , G06F30/27 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及芯片封装工艺技术领域，公开一种基于机器学习的芯片DFN封装与工艺协同优化方法，通过田口正交试验的百分制加权评判法和信噪比的极差分析法确定焊膏种类、PAD焊层厚度、芯片下表面焊层厚度、芯片材料种类的质量指标，对各因素的极差值R进行排序分析获得综合评分，并通过随机森林机器学习和网格搜索进一步优化田口法的最优DFN封装参数组合；并对回流焊温度曲线进行优化，选取最优回流焊温度曲线；解决现有芯片DFN封装中因材料组合或结构设计的不合理而导致的系列问题，本方法大大提高了优化效率，也一定程度上提高了田口法优化参数的准确性。
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公开(公告)号：CN118940693A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
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公开(公告)号：CN116113291A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310275738.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116096101A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310244089.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K77/10 , H03K19/0944 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
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公开(公告)号：CN115623792A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211633280.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种模拟神经突触有机电化学晶体管、其制备方法以及方向选择电路，利用电解质型栅介质通电构成双电层结构的原理，降低工作电压，该有机电化学晶体管的结构由下往上依次为衬底、电解液型栅介质、有机材料通道、金属顶电极；并且提出一种基于STP/STD的新型神经形态电路来实现方向选择性，通过两种布线方案实现生物神经系统中的短时程增强/抑制（STP/STD）。通过采用加载不同的脉冲电压模式，进行突触仿生功能的模拟，实现类神经突触的学习和记忆功能。
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公开(公告)号：CN108512754B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810249667.3
申请日：2018-03-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L12/715 , H04L12/733 , H04W40/10 , H04W40/20 , H04W84/18
Abstract: 本发明公开了一种以移动sink在无线传感网中进行数据收集为前提，对无线传感网中的节点进行分簇的方法。首先，利用DBSCAN算法在空间上依据节点分布的密度进行粗略的分簇，将节点分布具有足够密度的区域划分为一个大簇，大簇由有限个小簇组成。小簇的半径为单跳传输距离，使得簇内节点到簇头节点单跳可达。然后以DBSCAN算法生成的小簇为基础利用萤火虫算法的亮度和吸引度概念对小簇进行组合优化生成最佳的小簇组合。小簇的核心点亮度由三个条件决定：剩余电量、单跳范围内覆盖的节点数量、非重复覆盖的节点数量。在充分考虑上述三个条件的基础上生成的小簇组合能够保证用最少的小簇覆盖所有等待数据收集的节点；并且簇头剩余电量多，能够承担起收集簇内节点采集的数据的任务。最终实现缩小移动sink访问规模、缩短数据传输时延的目标。
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公开(公告)号：CN119296068B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411833215.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
IPC: G06V20/56
Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统，属于智能视觉和类脑计算领域；视觉系统包括：基于光电突触器件的图像传感模块：利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号，并进行预处理；还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块：接收预处理后的二维电信号，利用忆阻器阵列结构，先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵，再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络，多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算，进一步提取图像特征信息，最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域，且具有增强模糊图像、识别率高等特点。
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公开(公告)号：CN114512612B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210137601.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
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