-
公开(公告)号：CN103367366A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210101440.7
申请日：2012-03-31
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装构件，包含有基板，其上设有至少一引线手指；第一半导体芯片，其有源面面向所述基板，设于所述基板上；至少一第一接合垫设于所述第一半导体芯片的有源面；第一导线，将所述第一接合垫电连接至所述基板；第二半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第一半导体芯片的背面上；至少一第二接合垫，设于所述第二半导体芯片的有源面；第二导线，将所述第二接合垫电连接至所述基板；第三半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第二半导体芯片上；以及第四半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第三半导体芯片上。
-
公开(公告)号：CN103367332A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084598.8
申请日：2012-03-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种封装结构，包括一载板；一芯片堆叠结构，设置于载板上，其中芯片堆叠结构包括至少二片互相堆叠的芯片；一封装材料层，包覆芯片堆叠结构；一芯片黏着层，设置于相邻的芯片间；及多个填充物颗粒，均匀分布于芯片黏着层内，其中各个填充物颗粒包括一介电核心、一绝缘层，绝缘层包覆介电核心，及一导电层，设置于介电核心和绝缘层间且顺向包覆介电核心。
-
公开(公告)号：CN103367281A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210092744.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN103367179A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210088144.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/4824 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48991 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种打线方法，包含：(1)将芯片置于一承载件上；(2)将塑性材料点于所述芯片上，其中所述塑性材料位于所述芯片的打线焊垫与所述承载件的引脚间；(3)打线于所述打线焊垫与所述引脚上，使焊线连接于所述打线焊垫与所述引脚间，并埋入所述塑性材料中。本发明所提出的打线方法，可在打线过程中使焊线立即被塑性材料所包埋及固定，因此可避免在打线过程中因振动造成的焊线互碰短路，可提高制作工艺良率。
-
公开(公告)号：CN103367146A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084597.3
申请日：2012-03-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制作方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且半导体基底包括有一第一有源区以及一第二有源区。接着，依次于半导体基底上形成一含掺杂剂的第一导电层以及一未含掺杂剂的第二导电层。然后，对第一有源区的第二导电层进行一第一离子注入工艺，其中第一离子注入工艺所使用的掺杂剂与第一导电层的掺杂剂不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367106A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210092795.4
申请日：2012-03-31
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种形成齿状电容器的方法，其步骤包含提供一基材、在所述基材上交替地形成层叠的低掺杂浓度掺杂硅玻璃层与高掺杂浓度掺杂硅玻璃层、形成多个通孔贯穿所有所述交替层叠的掺杂硅玻璃层、以及进行一湿刻蚀工艺以从所述通孔的侧壁刻蚀所述掺杂硅玻璃层，使得所述高掺杂浓度掺杂硅玻璃层受到比所述低掺杂浓度掺杂硅玻璃层较多的横向刻蚀，进而在所述通孔中形成齿状结构。
-
公开(公告)号：CN103325689A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210074799.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种散热结构的制作方法。首先提供一散热基板，接着于该散热基板的一面形成钻石颗粒或薄膜；于该钻石颗粒或薄膜上涂布一乳胶聚合物层，构成一散热器件，最后将该散热器件与一发热器件结合在一起。由于钻石本身的分子结构为碳-碳链，与乳胶聚合物等有机高分子结构具有良好的化学亲合性及结合性，故在涂布后亦结合成为一体，并在室温下为一固体膜，不会产生空气间隙或贴合不致密等问题。
-
公开(公告)号：CN103311195A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210068957.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种散热结构，包含一发热器件；一散热鳍片，设置于该发热器件上；以及一热接口材料层，设置于该发热器件与该散热鳍片之间，其特征在于：该热界面材料层系将奈米碳管或奈米碳球分散于乳胶聚合物基体。
-
-
公开(公告)号：CN103367281B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210092744.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.038 seconds)
