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公开(公告)号：CN107298428A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710511844.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00206 , B81C1/00865
Abstract: 本发明公开了一种用于SOG-MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG-MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。
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公开(公告)号：CN105256286B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510701368.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明提供一种减缓原子自旋弛豫的原子气室内壁镀膜方法，该方法首先采用将铷原子蒸汽充入原子气室内，再通过氢化物固态释气剂(如氢化钛、氢化钙等)向原子气室内释放压强为10Torr～100Torr的氢气，并在温度50℃～150℃下保持数十～数百小时，原子气室内壁会附着一层氢化铷薄膜，最后将气室内残存的氢气抽空，结束镀膜过程，本发明在上述镀膜过程中采用固态释气剂产生氢气，与传统采用高压氢气瓶作为氢源相比，提高了在原子气室内壁进行氢化铷镀膜的工艺安全性，并且氢化铷镀膜后将气室内残余氢气抽空，与将氢气直接密封在气室内相比，有利于提升原子气室性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN105293428B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510679727.1
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本发明采用硅引线实现电互连，因此整体封装工艺具有更高的工艺兼容温度，从而可以在引线上制备更高密度更高质量的绝缘介质层，从而提高了器件的加工成品率和长期使用的可靠性。
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公开(公告)号：CN105253853A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510701040.3
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种SOG-MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN119735161A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411831603.6
申请日：2024-12-12
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在晶圆级真空封装衬底片上生长铬/金/铬/钛复合膜层，其中第一层铬层与衬底硅直接接触。晶圆级真空封装通过金硅共晶键合实现，金硅共晶键合反应过程中，位于Cr/Ti吸气剂层底部的Cr/Au共晶反应层与硅共晶反应产生液相合金，并在降温过程中凝固，在这个过程中带动上层的Cr/Ti吸气剂层晶格移动，使Ti吸气剂材料孔隙变化，从而提高钛吸气剂的吸气能力，提升晶圆级封装真空度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116953284A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310734210.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种基于多级差分输出的高精度硅基MEMS谐振加速度计，包括上层盖帽层、中层敏感模块、下层衬底层。中层敏感模块包括左右对称分布、相互隔离的两个相同敏感结构，敏感结构包括质量块、杠杆放大结构、热应力释放结构、谐振器，谐振器包括谐振梁与连接在谐振梁上的滑膜梳齿结构，滑膜梳齿结构连接外部驱动电路产生静电力驱动谐振梁振动，并输出检测信号。本发明通过多级差分检测设计，有效降低电路噪声、温度漂移等误差对硅基MEMS谐振加速度计的精度干扰，实现硅基谐振MEMS加速度计在全温环境下可保持较高的加速度测量精度。
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公开(公告)号：CN111115555B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201911329252.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS晶圆级共晶键合封装的硅槽结构及制备方法，分布于硅盖板片正面键合环内侧及外侧的环状硅槽为防溢出硅槽，其宽度w1与键合环的宽度w2之比为R满足1/20≤R≤1/10；分布于键合环内部的方形硅槽为收纳硅槽，其边长为L，在键合环上横向、纵向等间距排布，间距d和边长L满足20μm≤d＝L≤w2/10；所述硅槽结构在共晶键合过程中被溢出的合金熔液填充，固化后形成楔形键合层结构。本发明采用深反应离子刻蚀技术，直接在硅盖板片正面键合环两侧及内部刻蚀出横截面为等腰倒梯形的硅槽结构，通过这些沟槽结构收纳在共晶键合过程中溢出的合金熔液，并通过合金熔液固化后形成的楔形的键合层结构来提高键合强度和密封效果。
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公开(公告)号：CN112158797B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010880769.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN111099555B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201911303875.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种适用于圆片级真空封装的玻璃腔体制造方法，对玻璃片进行一次清洗；在玻璃表面刻蚀形成第一图形；对玻璃片进行二次清洗；在玻璃表面淀积金属钨薄膜；将钨薄膜在第二步中的第一图形形成的浅槽内形成第二图形；在玻璃表面淀积复合金膜；在复合金膜上涂覆光刻胶，在金膜上进行光刻，形成腔体图案；用蓝膜将玻璃片无金膜面及有金膜面的边缘进行保护；将带有镂空图形的硅片与带有玻璃片腔体的玻璃片按照第二图形进行对准，形成用于圆片级真空封装的腔体内带有吸气剂薄膜的玻璃片。本发明采用厚光刻胶和金属膜组成复合掩膜，能够消除单层掩膜表面的缺陷和针孔对腐蚀的影响，减少玻璃腐蚀过程中的表面钻蚀。
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公开(公告)号：CN114234949B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111357289.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5733 , B81B3/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种具有应变自抵消的抗过载MEMS可动结构，包括：第一可动质量块、第二可动质量块、第一结构单元、第二结构单元、第三结构单元、第四结构单元、第一抗过载固定锚区、第二抗过载固定锚区、第一抗过载应变梁、第二抗过载应变梁、第一抗过载支撑梁和第二抗过载支撑梁；其中，第一结构单元、第二结构单元、第三结构单元和第四结构单元的结构相同，均包括质量块梳齿、驱动梳齿、驱动梳齿锚区、转动振动梁、转动调整梁、弯曲振动梁固定锚区、弯曲振动梁、应力释放梁。本发明避免可动MEMS结构在运动方向受到大冲击时，由于结构位移过大造成结构断裂，可应用于MEMS陀螺结构设计中，提高结构抗过载特性，提高谐振频率稳定性，降低驱动检测正交耦合。
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