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公开(公告)号：CN102050432A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237095.8
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法，包含以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；步骤2：用氢气或者氮气作为载气，在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层，该缓冲层的作用是用来提高InN纳米棒的晶体质量和形貌；步骤3：用氮气作为载气将含铟源、锌源的金属有机化合物和氨气通入到反应室，在氮化镓缓冲层上制备生长InN纳米棒，在InN纳米棒顶端同时生成金属In小球；步骤4：关闭铟源和锌源，反应室温度降到350℃以下关闭氨气，继续通氨气的作用是抑制InN材料的高温热分解；步骤5：降温，反应室温度由350℃降至室温后，将样品取出。
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公开(公告)号：CN101380601A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121360.7
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种恒温装置，该恒温装置包括加热器、致冷器、搅伴器、温度传感器和控制单元，该控制单元包括PID温度控制器和开关模式温度控制器，根据温度传感器所测的温度，所述PID温度控制器通过PID算法控制加热器的功率来调整恒温装置的温度，所述开关温度控制器通过开启或关断加热或致冷器来调整恒温装置的温度。本发明同时公开了一种恒温装置的控制方法。利用本发明，可以在满足恒温装置尤其是原料存储恒温装置的温度精度的同时，实现能量的节约。
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公开(公告)号：CN101211866A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169750.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/00 , H01L31/0264 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN1332062C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410044605.7
申请日：2004-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明涉及一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
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公开(公告)号：CN101017864A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003071.2
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L29/02 , H01L21/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1796595A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101884.6
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材料的经济实用方法。
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公开(公告)号：CN1778984A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009815.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN1632906A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200310121178.3
申请日：2003-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和发射的电子密度，灯丝位于上下两端，减小了离子直接溅射，灯丝后有反射板；坩埚为立式，内筒有两种，反应器型可盛装与工作气体反应的固体源材料，工作气体自上而下通过源材料并与之充分反应，蒸发器型可盛装能蒸发出材料气氛的源材料，可调整辅助加热及灯丝电流来控制源的工作温度。本发明结构简单实用，工作性能稳定、束流品质好、离化效率高、源材料选择范围广、产生离子种类多。可用于其他离子束相关技术。
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