公开(公告)号：CN101831693A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910079800.6

申请日：2009-03-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王振华 ,  刘祥林 ,  杨少延 ,  杨安丽

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。

公开(公告)号：CN101831613B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010157517.3

申请日：2010-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑高林 ,  杨安丽 ,  宋华平 ,  郭严 ,  魏鸿源 ,  刘祥林 ,  朱勤生 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。

公开(公告)号：CN101831613A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010157517.3

申请日：2010-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑高林 ,  杨安丽 ,  宋华平 ,  郭严 ,  魏鸿源 ,  刘祥林 ,  朱勤生 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。

公开(公告)号：CN102050432A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910237095.8

申请日：2009-11-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋华平 ,  杨安丽 ,  郭严 ,  魏鸿源 ,  刘祥林 ,  朱勤生 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: C01B21/06 ,  B82B3/00

Abstract: 一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法，包含以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；步骤2：用氢气或者氮气作为载气，在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层，该缓冲层的作用是用来提高InN纳米棒的晶体质量和形貌；步骤3：用氮气作为载气将含铟源、锌源的金属有机化合物和氨气通入到反应室，在氮化镓缓冲层上制备生长InN纳米棒，在InN纳米棒顶端同时生成金属In小球；步骤4：关闭铟源和锌源，反应室温度降到350℃以下关闭氨气，继续通氨气的作用是抑制InN材料的高温热分解；步骤5：降温，反应室温度由350℃降至室温后，将样品取出。