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公开(公告)号：CN101831613B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010157517.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN101831628B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010157637.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN101831628A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157637.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102050432A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237095.8
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法，包含以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；步骤2：用氢气或者氮气作为载气，在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层，该缓冲层的作用是用来提高InN纳米棒的晶体质量和形貌；步骤3：用氮气作为载气将含铟源、锌源的金属有机化合物和氨气通入到反应室，在氮化镓缓冲层上制备生长InN纳米棒，在InN纳米棒顶端同时生成金属In小球；步骤4：关闭铟源和锌源，反应室温度降到350℃以下关闭氨气，继续通氨气的作用是抑制InN材料的高温热分解；步骤5：降温，反应室温度由350℃降至室温后，将样品取出。
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公开(公告)号：CN101831613A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157517.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
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