公开(公告)号：CN101380601A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121360.7

申请日：2007-09-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张日清 ,  刘祥林 ,  杨少延 ,  张晓沛 ,  董向芸

IPC: B01L7/00 ,  G05D23/00

Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种恒温装置，该恒温装置包括加热器、致冷器、搅伴器、温度传感器和控制单元，该控制单元包括PID温度控制器和开关模式温度控制器，根据温度传感器所测的温度，所述PID温度控制器通过PID算法控制加热器的功率来调整恒温装置的温度，所述开关温度控制器通过开启或关断加热或致冷器来调整恒温装置的温度。本发明同时公开了一种恒温装置的控制方法。利用本发明，可以在满足恒温装置尤其是原料存储恒温装置的温度精度的同时，实现能量的节约。

公开(公告)号：CN101210345A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610169751.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘祥林 ,  赵凤瑷 ,  焦春美 ,  董向芸 ,  张晓沛 ,  范海波 ,  魏宏源 ,  张攀峰 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。

公开(公告)号：CN100590236C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610169751.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘祥林 ,  赵凤瑷 ,  焦春美 ,  董向芸 ,  张晓沛 ,  范海波 ,  魏宏源 ,  张攀峰 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。