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公开(公告)号：CN104333418A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410441505.1
申请日：2014-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H05B37/02
Abstract: 一种显示通信两用的可见光模块，包括：一LED两用模块，作为可见光显示光源及通信系统的发射端；一LED两用模块显示控制电路，位于LED两用模块背面的一侧，用于控制LED阵列实现显示的功能；一LED两用模块光通信发射端电路，位于LED两用模块背面的另一侧，用于控制LED阵列实现光通信发射端的功能。本发明一种显示通信两用的可见光模块，以填补对于可见光通信系统中微小尺寸光源全彩阵列多路发射端的需求，提供了集通信功能为一体的高度集成的小型微间距LED高清显示屏的研究和开发方向。
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公开(公告)号：CN102534769B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210075720.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
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公开(公告)号：CN104183584A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410409588.6
申请日：2014-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种LED阵列光源结构，包括：绝缘基板；多个焊盘，其阵列分布在绝缘基板正面，它们之间通过金属线连接成多排和多列；通孔，其开设在绝缘基板上，且连接每一排和每一列的焊盘的金属线通过所述通孔被引至绝缘基板背面；金属管脚，其设置在绝缘基板背面，并与引至绝缘基板背面的金属线电连接，用于连接驱动元件；散热层，其设置在绝缘基板侧壁和/或背面，用于散热；多个LED芯片，其固定在所述焊盘上；光学元件，其用于封装所述LED芯片，用于保护LED芯片和二次配光。本发明使得LED阵列光源的封装更加集成化，小型化，简化了封装工艺，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN104181760A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410446088.X
申请日：2014-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03B21/00
Abstract: 本发明公开了一种基于全彩发光二级管阵列的投影显示系统，包括：三组发光二极管阵列模组，包括三个不同波长的发光二极管显示阵列；散热元件，其置于所述三个发光二极管阵列的附件，用以散热；集光元件，其放置在所述发光二极管阵列的光路前方，用以将光线收集并引入混光元件中；混光元件，其用于混合所述三个发光二极管阵列发出的三种光线形成全彩图像；投影元件，其放置在混光元件前方并用于调节画面质量和尺寸。本发明实现了主动式发光显示系统，省略了传统显示技术中的被动控制元件而提高了光学利用率，进而降低了显示系统的功耗。
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公开(公告)号：CN102637787B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210124792.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579467A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585537.4
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/58 , G03F7/0002 , H01L2933/0058
Abstract: 一种晶圆级微透镜压印成型方法，包括以下步骤：步骤1：将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上；步骤2：在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶；步骤3：将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化；步骤4：固化完成后，在光敏胶的表面光刻、曝光，形成掩膜图形；步骤5：显影、刻蚀，将光敏胶刻蚀成半球形透镜，完成制备。本发明可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大规模的产业化制作微透镜。
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公开(公告)号：CN103579423A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585931.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
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公开(公告)号：CN103474557A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310432579.4
申请日：2013-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管阵列的制备方法，包括以下步骤：在晶圆上制作发光二极管；制作带有金属化图形的基板；其中，基板上表面具有金属焊点和导电通孔，基板下表面制备有金属电极，所述金属电极与导电通孔连接；利用晶圆键合工艺，将晶圆与基板进行对位和固定结合，其中，晶圆上的发光二极管的电极与基板上的金属焊点对应；利用激光剥离工艺，将与基板上的金属焊点对应的处于指定区域内的发光二极管从晶圆上剥离；根据需要对基板进行划裂切割，完成由发光二极管组成的发光二极管阵列的制备。
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公开(公告)号：CN102544289B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210056638.8
申请日：2012-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。
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公开(公告)号：CN103441101A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310379858.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , G09G3/32
Abstract: 一种全彩发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：取一外延片；在外延片上制备发光二极管阵列；在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂，得到发光二极管单元；取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上；利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离，在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉；将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成全彩发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以对发光二极管模组进行精确控制。
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