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公开(公告)号：CN1786107A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009992.0
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K11/74
Abstract: 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
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公开(公告)号：CN119907317A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510037301.X
申请日：2025-01-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及红外光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法，以N型掺杂磷化铟衬底作为器件的基础，在N型掺杂磷化铟衬底上依次生长磷化铟吸收层、第一P型接触层、第二P型接触层、短波红外超晶格吸收层、N型接触层。金属下电极与N型掺杂磷化铟衬底接触，金属上电极N型接触层接触，其中心有通光孔。本发明通过利用N型掺杂磷化铟衬底自身的带隙特性来参与光谱吸收，转化为电信号进行探测，同时采用背靠背二极管结构，可以通过调节偏压实现对短波双波段红外的不同响应，由于N型掺杂磷化铟衬底参与了光吸收，因此不需要像传统方法那样去掉衬底，外延结构简单，降低了制作成本并简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN119008756A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411120713.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于上台面金属电极与下台面金属电极之间的外延片结构的侧面，并延伸出下台面金属电极。
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公开(公告)号：CN118244553A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410316491.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法，包括：单量子点，用于产生单双激子级联发光，激子态具有H和V两重偏振态发光，两重偏振态具有能量劈裂；微腔，由第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜形成，用于控制单量子点定向出光；光纤耦合组件，由单模光纤垂直粘和制备固化封装，用于收集单量子点产生的单双激子级联发光；局域电场，由近邻调制掺杂层的单个掺杂原子产生，用于调控单量子点，以减小激子能量劈裂和调控激子波函数；发光输出模块，用于对单量子点进行荧光收集，将收集到的单双激子级联发光以高斯光场形式输出；光子对关联测试单元，用于对单双激子级联发光进行过滤并基于过滤后的单双激子检验偏振关联性。
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公开(公告)号：CN111403567B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010252674.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法，制备方法包括，在衬底上外延生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上交替生长GaAs层和AlGaAs层而形成GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；在GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜上外延生长InAs量子点和GaAs上盖层；在GaAs上盖层上形成圆形周期阵列的介电层；对圆形周期阵列的介电层进行BOE腐蚀，缩小圆形周期阵列的介电层的直径；以缩小直径的圆形周期阵列的介电层为掩模，对GaAs上盖层进行各向异性的酸性腐蚀，形成微透镜阵列。本发明的量子点单光子源上微透镜阵列表面光滑、精度要求低、光学形状精确可控、可一次性大量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098563A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910504380.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源，由上至下包括：上DBR层，用于提高反射率；上腔体，用于提供上谐振腔模；中DBR层，用于提高反射率；下腔体，用于提供下谐振腔模；以及下DBR层，用于提高反射率；所述基于双腔结构的纠缠光源，通过改变材料的结构，可以直接构造出双腔模结构，包括上中下三层分布式布拉格反射镜(DBR)，其用于提高反射率，不需要太复杂的工艺，收集纠缠光子对的效率提高了很多。
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公开(公告)号：CN106199856B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610584646.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子源器件样片，具有多个单光子源单元，所述单光子源单元能够发射单光子；光纤阵列，包括多根光纤，耦合至所述单光子源器件样片的上表面，其中光纤阵列中的一根或多根光纤与所述单光子源单元耦合。该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置制作简单、方便、可靠。
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公开(公告)号：CN105206702B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410293761.0
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国人民解放军军械工程学院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种新型结构的单光子探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，并在双势垒结构上方依次外延生长隔离层、n+‑i‑p+倍增区和吸收层。探测器工作时加正向偏压，单光子从集电极入射，并在吸收层产生光生电子‑空穴对，光生空穴在电场作用下进入倍增区获得倍增，并在隔离层累积，进而改变双势垒两侧的电势，增大了隧穿电流。本发明采用n+‑i‑p+倍增区的设计方案，通过调节n+层和p+层的厚度及掺杂浓度，能够有效地调节倍增区内部的电场强度，从而达到对倍增区倍增倍数的灵活控制。通过加入倍增区，有效地提高了探测器的峰值电流。与未添加倍增区的单光子探测器相比，其工作温度可以大幅提高。
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公开(公告)号：CN106099642A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610510717.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34
Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。
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公开(公告)号：CN105206702A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410293761.0
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国人民解放军军械工程学院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种新型结构的单光子探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，并在双势垒结构上方依次外延生长隔离层、n+-i-p+倍增区和吸收层。探测器工作时加正向偏压，单光子从集电极入射，并在吸收层产生光生电子-空穴对，光生空穴在电场作用下进入倍增区获得倍增，并在隔离层累积，进而改变双势垒两侧的电势，增大了隧穿电流。本发明采用n+-i-p+倍增区的设计方案，通过调节n+层和p+层的厚度及掺杂浓度，能够有效地调节倍增区内部的电场强度，从而达到对倍增区倍增倍数的灵活控制。通过加入倍增区，有效地提高了探测器的峰值电流。与未添加倍增区的单光子探测器相比，其工作温度可以大幅提高。
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