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公开(公告)号：CN114122185B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111399153.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种短波双色红外探测器，包括：衬底，衬底的材料包括GaSb材料，缓冲层，形成于衬底表面，缓冲层的材料包括GaSb材料，短波红外单元，包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层，其中，第一P型层、短波吸收层、第一N型层的材料包括AlInAsSb、InGaAsSb四元合金材料中的至少一种，雪崩倍增单元，包括依次叠设在第一N型层表面的第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层，其中，第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层的材料包括材料空穴离化系数与材料电子离化系数之比小于预设值的材料。本发明采用PINNIP型背靠背双二极管结构，可通过偏压极性调制实现探测短波长红外光和测距功能。
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公开(公告)号：CN119008756A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411120713.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于上台面金属电极与下台面金属电极之间的外延片结构的侧面，并延伸出下台面金属电极。
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公开(公告)号：CN113972296B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111239358.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P‑π‑M‑N结构，用于吸收长波红外线；N型公共接触层，形成于长波红外单元上；短波红外单元，形成于N型公共接触层上，所述短波红外单元形成N‑I‑P结构，用于吸收短波红外线及测距；外延结构和金属上电极及金属下电极欧姆连接，外延结构外部形成有硫化层和钝化层，且在外延结构上形成通光孔。本发明还提供一种针对红外探测器的制备方法，包括在所述衬底上生长所述外延结构，之后依次进行刻蚀、硫化处理、钝化处理、制出通光孔、光刻形成金属上电极以及金属下电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122185A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111399153.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种短波双色红外探测器，包括：衬底，衬底的材料包括GaSb材料，缓冲层，形成于衬底表面，缓冲层的材料包括GaSb材料，短波红外单元，包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层，其中，第一P型层、短波吸收层、第一N型层的材料包括AlInAsSb、InGaAsSb四元合金材料中的至少一种，雪崩倍增单元，包括依次叠设在第一N型层表面的第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层，其中，第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层的材料包括材料空穴离化系数与材料电子离化系数之比小于预设值的材料。本发明采用PINNIP型背靠背双二极管结构，可通过偏压极性调制实现探测短波长红外光和测距功能。
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公开(公告)号：CN113972296A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111239358.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P‑π‑M‑N结构，用于吸收长波红外线；N型公共接触层，形成于长波红外单元上；短波红外单元，形成于N型公共接触层上，所述短波红外单元形成N‑I‑P结构，用于吸收短波红外线及测距；外延结构和金属上电极及金属下电极欧姆连接，外延结构外部形成有硫化层和钝化层，且在外延结构上形成通光孔。本发明还提供一种针对红外探测器的制备方法，包括在所述衬底上生长所述外延结构，之后依次进行刻蚀、硫化处理、钝化处理、制出通光孔、光刻形成金属上电极以及金属下电极。
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公开(公告)号：CN117637908A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311528094.5
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 一种红外探测器的制备方法、红外探测器，该制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、N型掺杂接触层、吸收层、P型掺杂接触层和P型盖层，得到第一器件；对第一器件的叠层结构的两端进行刻蚀以在刻蚀后的N型掺杂接触层上形成沿第一方向突出的台面结构，得到第二器件；在第二器件远离衬底的表面制备电极窗口掩膜，得到第三器件；在第三器件远离衬底的表面沉积增透钝化层；去除第一电极窗口掩膜以及第一电极窗口掩膜上的增透钝化层，得到第一电极窗口，去除第二电极窗口掩膜以及第二电极窗口掩膜上的增透钝化层，得到第二电极窗口；在第一电极窗口上制备第一电极，在第二电极窗口上制备第二电极，得到红外探测器。
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公开(公告)号：CN114335232B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111539243.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。
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公开(公告)号：CN114335232A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111539243.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。
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