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公开(公告)号：CN101305280A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680020405.5
申请日：2006-06-09
Applicant: 吉卢比有限公司
IPC: G01N33/543 , G01N21/55
CPC classification number: G01N33/54373 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/6489 , G01N2021/258 , Y10S977/882 , Y10S977/891 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959
Abstract: 本发明一般涉及生物传感器技术，并且具体涉及基于金属纳米岛、半导体纳米岛和磁性纳米岛有序阵列的用于医学、生物学、生物化学、化学和环境学应用的新颖多功能生物传感器。
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公开(公告)号：CN101246963A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710198794.7
申请日：2007-12-17
Applicant: 韩国能量技术研究院
CPC classification number: H01M4/926 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01M4/92 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10T428/292
Abstract: 本发明涉及一种负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极及其制造方法的。具体地说，就是关于直接在碳纸表面生长碳纳米管，然后，再在碳纳米管的表面通过化学气相沉积法负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极的制造方法及碳纳米管电极。根据本发明，通过直接生长碳纳米管，就可以最大程度地利用碳纳米管的较宽的表面积和其优良的导电性等优点，特别是通过利用化学气相沉积法直接在碳纳米管的表面负载铂金催化剂的方法，就可以增强纳米催化剂粒子的分散度，并能够使催化剂的活性变得更加优良，从而就可以将非常细小的纳米催化剂粒子负载到碳纳米管的表面上。这样，就不仅能够使铂金的使用量达到最小的限度，同时，还能够有效地增强催化剂的效果，为今后将其用于学术及产业方面奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101124152A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200480040987.4
申请日：2004-11-18
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: C30B29/62 , B01J21/185 , B01J37/0238 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B29/605 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , Y02E10/50 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10S977/754 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/921 , Y10T428/25
Abstract: 一种形成具有树形式的纳米结构的方法，包括第一阶段和第二阶段。第一阶段包括在衬底表面上提供一个或多个催化颗粒，并经由每个催化颗粒生长第一纳米晶须。第二阶段包括在每个第一纳米晶须的周边上提供一个或多个第二催化颗粒，和从每个第二催化颗粒生长从各自第一纳米晶须的周边横向伸出的第二纳米晶须。可包括另外的阶段以生长一个或多个从前一阶段的纳米晶须伸出的另外纳米晶须。可在纳米晶须内形成异质结构。这种纳米结构可形成太阳能电池阵列或发光面板的元件，其中纳米晶须由光敏材料形成。可通过定位第一纳米晶须紧密到一起形成神经网络，从而邻近的树通过随后阶段中生长的纳米晶须接触另外一个，并且纳米晶须内的异质结形成对电流的隧道势垒。
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公开(公告)号：CN101010780A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580021904.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN1189390C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN00107805.4
申请日：2000-06-12
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/30 , D01F9/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/833 , Y10S977/843 , Y10S977/891
Abstract: 一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中，通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒，并通过利用碳源气的热CVD，由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1443367A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN01811029.0
申请日：2001-05-10
Applicant: 摩托罗拉公司
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L29/66545 , Y10S977/707 , Y10S977/721 , Y10S977/891
Abstract: 公开了一种用于在一个半导体基片(102)中形成第一导电类型的第一晶体管(130)和第二导电类型的第二晶体管(132)的过程。该基片(102)具有第一导电类型的第一孔道(106)和第二导电类型的第二孔道(104)。一个栅极电介质(108)形成于各孔道上。一层第一金属层(110)然后形成于栅极电介质(108)上。第一金属层(110)中位于第二孔道上的部分然后被去除。然后在各孔道上形成一层不同于所述第一金属的第二金属层(114)并且在第二金属(114)上形成一个栅极掩膜。各金属层(110、114)然后被形成图形以便将第一栅极遗留于第一孔道(106)上及第二栅极遗留于第二孔道(104)上。源极/漏极(138、142)然后被形成于第一(106)和第二(104)孔道上以便形成第一(130)和第二(132)晶体管。
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公开(公告)号：CN104475313B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410546542.9
申请日：2011-09-12
Applicant: 应用奈米结构公司
CPC classification number: B05D3/10 , B01J21/185 , B01J23/75 , B01J35/06 , B01J37/0213 , B05D2203/35 , B05D2256/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/34 , C03C17/28 , C03C25/1095 , C03C25/223 , C03C25/24 , C03C25/44 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/545 , D01F9/127 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , Y10T428/25
Abstract: 本文提供了在玻璃基板(特别是玻璃纤维基板)上用于成长碳纳米管的方法。该方法可包含：于玻璃基板上沉积触媒材料或触媒前驱物；在该触媒材料或该触媒前驱物之前、之后或与其同时，于该玻璃基板上沉积非触媒材料；以及将该玻璃基板暴露于碳纳米管成长条件，以于玻璃基板上成长碳纳米管。可于碳纳米管正在所述玻璃基板(特别是玻璃纤维基板)上成长时运送所述玻璃基板。在暴露于碳纳米管成长条件时，触媒前驱物可转化为触媒。触媒材料或触媒前驱物以及非触媒材料可从含有水作为溶剂的溶液沉积。例示的沉积技术包含，例如喷涂与浸涂。
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公开(公告)号：CN104475313A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410546542.9
申请日：2011-09-12
Applicant: 应用奈米结构公司
CPC classification number: B05D3/10 , B01J21/185 , B01J23/75 , B01J35/06 , B01J37/0213 , B05D2203/35 , B05D2256/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/34 , C03C17/28 , C03C25/1095 , C03C25/223 , C03C25/24 , C03C25/44 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/545 , D01F9/127 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , Y10T428/25
Abstract: 本文提供了在玻璃基板(特别是玻璃纤维基板)上用于成长碳纳米管的方法。该方法可包含：于玻璃基板上沉积触媒材料或触媒前驱物；在该触媒材料或该触媒前驱物之前、之后或与其同时，于该玻璃基板上沉积非触媒材料；以及将该玻璃基板暴露于碳纳米管成长条件，以于玻璃基板上成长碳纳米管。可于碳纳米管正在所述玻璃基板(特别是玻璃纤维基板)上成长时运送所述玻璃基板。在暴露于碳纳米管成长条件时，触媒前驱物可转化为触媒。触媒材料或触媒前驱物以及非触媒材料可从含有水作为溶剂的溶液沉积。例示的沉积技术包含，例如喷涂与浸涂。
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公开(公告)号：CN102272967B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980153061.9
申请日：2009-12-01
Applicant: 诺基亚公司
Inventor： V·叶尔莫洛夫
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/0012 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , Y10S977/742 , Y10S977/891 , Y10T428/2991 , Y10T428/30
Abstract: 在衬底上应用的电场的影响下，在所述衬底的表面上设置高深宽比纳米粒子的层。为了建立电场，在设置在衬底临近的电极对之间或在衬底上应用电压，以及在衬底上设置的高深宽比纳米粒子至少部分地沿着应用的电场的方向排列。高深宽比纳米粒子从浮粒中的催化剂纳米粒子生长，以及该浮粒直接用于在室温下形成衬底上的纳米粒子层。纳米粒子可以是碳纳米管，特别地是单壁碳纳米管。具有在上面设置排列的高深宽比纳米粒子的层的衬底可用于制造纳米电子设备。
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公开(公告)号：CN103097039A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044125.9
申请日：2011-09-12
Applicant: 应用奈米结构公司
CPC classification number: B05D3/10 , B01J21/185 , B01J23/75 , B01J35/06 , B01J37/0213 , B05D2203/35 , B05D2256/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/34 , C03C17/28 , C03C25/1095 , C03C25/223 , C03C25/24 , C03C25/44 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/545 , D01F9/127 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , Y10T428/25
Abstract: 本文提供了在玻璃基板（特别是玻璃纤维基板）上用于成长碳纳米管的方法。该方法可包含：于玻璃基板上沉积触媒材料或触媒前驱物；在该触媒材料或该触媒前驱物之前、之后或与其同时，于该玻璃基板上沉积非触媒材料；以及将该玻璃基板暴露于碳纳米管成长条件，以于玻璃基板上成长碳纳米管。可于碳纳米管正在所述玻璃基板（特别是玻璃纤维基板）上成长时运送所述玻璃基板。在暴露于碳纳米管成长条件时，触媒前驱物可转化为触媒。触媒材料或触媒前驱物以及非触媒材料可从含有水作为溶剂的溶液沉积。例示的沉积技术包含，例如喷涂与浸涂。
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