公开(公告)号：CN103229321A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070324.2

申请日：2010-11-25

Applicant: 诺基亚公司

Inventor： V·叶尔莫洛夫

IPC: H01L41/047 ,  H03H9/17 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L41/047 ,  B82Y30/00 ,  H01L41/0478 ,  H03H9/131 ,  H03H9/174 ,  H03H9/542

Abstract: 一种装置（200），包含：第一电极（204），其中第一电极包含至少一个石墨烯层；第二电极（208）；以及布置在第一电极（204）和第二电极（208）之间的压电材料（206）层，其中压电材料（206）能够响应于向第一或第二电极（204，208）的振荡电信号的施加在谐振频率处谐振。

公开(公告)号：CN102272967B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980153061.9

申请日：2009-12-01

Applicant: 诺基亚公司

Inventor： V·叶尔莫洛夫

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/30

Abstract: 在衬底上应用的电场的影响下，在所述衬底的表面上设置高深宽比纳米粒子的层。为了建立电场，在设置在衬底临近的电极对之间或在衬底上应用电压，以及在衬底上设置的高深宽比纳米粒子至少部分地沿着应用的电场的方向排列。高深宽比纳米粒子从浮粒中的催化剂纳米粒子生长，以及该浮粒直接用于在室温下形成衬底上的纳米粒子层。纳米粒子可以是碳纳米管，特别地是单壁碳纳米管。具有在上面设置排列的高深宽比纳米粒子的层的衬底可用于制造纳米电子设备。

公开(公告)号：CN102272967A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153061.9

申请日：2009-12-01

Applicant: 诺基亚公司

Inventor： V·叶尔莫洛夫

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/30

Abstract: 在衬底上应用的电场的影响下，在所述衬底的表面上设置高深宽比纳米粒子的层。为了建立电场，在设置在衬底临近的电极对之间或在衬底上应用电压，以及在衬底上设置的高深宽比纳米粒子至少部分地沿着应用的电场的方向排列。高深宽比纳米粒子从浮粒中的催化剂纳米粒子生长，以及该浮粒直接用于在室温下形成衬底上的纳米粒子层。纳米粒子可以是碳纳米管，特别地是单壁碳纳米管。具有在上面设置排列的高深宽比纳米粒子的层的衬底可用于制造纳米电子设备。