公开(公告)号：CN108530080A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810652119.5

申请日：2018-06-22

Applicant: 郑州秉同立智电子科技有限公司 ,  郑州航空工业管理学院

Inventor： 曹再辉 ,  吴庆涛 ,  张锐 ,  宗思生 ,  施进发 ,  周琰 ,  王沛 ,  胡中艳

IPC: C04B35/56

Abstract: 本发明公开了一种耐高温陶瓷材料及其制备方法，包括以下重量份的原料：三氧化二钇4.2-6.5份、碳化钛18.4-20.6份、四氢呋喃15.4-18.7份、微米级六硼化镧14.5-18.9份、苯磺酸5-8.2份、碘伏1.6-3.4份、冰片6-10份、硼氢化钠12.5-17.6份和氮化硅5.5-7.8份。本发明原料来源广泛，通过将不同的原料采用不同的制备工艺，将不同的产物采用不同的工艺混合，制备的成品在1750摄氏度下仍然具有良好的力学性能，可以满足人们的使用需求，使用前景广阔。

公开(公告)号：CN108190883A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810195584.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 郑州航空工业管理学院 ,  郑州华晶金刚石股份有限公司

Inventor： 张锐 ,  樊磊 ,  陈雷明 ,  范冰冰 ,  刘永奇 ,  宋晓宇 ,  刘军威 ,  王铖 ,  邵刚 ,  王海龙 ,  赵彪 ,  高卡 ,  郭晓琴 ,  李春光

IPC: C01B32/28

Abstract: 本发明涉及一种人造金刚石的提纯方法，属于人工合成金刚石后处理技术领域。本发明的人造金刚石的提纯方法，包括以下步骤：1)将人造金刚石粉体进行微波加热处理60～120min，得预处理的人造金刚石粉体；2)将预处理的人造金刚石粉体进行磁选处理，得到金刚石颗粒；3)将步骤2)分离出的金刚石颗粒与表面活化剂混合后进行微波处理。步骤1)中微波加热处理为多模谐振模式双频率处理。本发明的人造金刚石的提纯方法相比于传统的人造金刚石提纯方法，该方法工艺简单，操作方便，加热温度低，时间短，工作环境得到极大改善，彻底解决了现有人造金刚石提纯过程中的环境污染问题，适合大规模工业化应用，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN106041109B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201610605366.0

申请日：2016-07-29

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 高卡 ,  郭晓琴 ,  樊磊 ,  张锐

IPC: B22F9/10

Abstract: 本发明属于难混溶合金颗粒领域，具体公开了一种多层壳核结构CoxCuyPbz合金颗粒及其制备方法。该方法利用一凝固成型装置，通过设计合理的合金成分配比、两真空室压力、Cu辊的辊面线速度制备空心CoxCuyPbz合金颗粒。本发明制得的壳核合金颗粒圆球度较高，表明光滑，壳核层并无破裂或空洞出现，内部只发生凝固反应，析出相简单，操作过程简单，费用较低。

公开(公告)号：CN107500776A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710709832.4

申请日：2017-08-18

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 丁云鹏 ,  张锐 ,  高卡 ,  樊磊 ,  郭晓琴 ,  刘军威 ,  王海龙

IPC: C04B35/5831 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C22C26/00

Abstract: 本发明属于聚晶立方氮化硼刀具材料领域，公开一种聚晶立方氮化硼刀具材料及其制备方法。由下述重量百分比的原料制成：立方氮化硼粉体30~95%、结合剂5~70%；所述结合剂的重量百分比组成为下述的组成a或组成b；组成a：硅粉2~40%、0

公开(公告)号：CN106041109A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610605366.0

申请日：2016-07-29

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 高卡 ,  郭晓琴 ,  樊磊 ,  张锐

IPC: B22F9/10

CPC classification number: B22F9/10

Abstract: 本发明属于难混溶合金颗粒领域，具体公开了一种多层壳核结构CoxCuyPbz合金颗粒及其制备方法。该方法利用一凝固成型装置，通过设计合理的合金成分配比、两真空室压力、Cu辊的辊面线速度制备空心CoxCuyPbz合金颗粒。本发明制得的壳核合金颗粒圆球度较高，表明光滑，壳核层并无破裂或空洞出现，内部只发生凝固反应，析出相简单，操作过程简单，费用较低。

公开(公告)号：CN105948708A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610274964.4

申请日：2016-04-28

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  陈雷明 ,  樊磊 ,  张新月 ,  魏胜楠 ,  赵新 ,  郭晓琴 ,  李春光

IPC: C04B33/132

CPC classification number: Y02P40/69 ,  C04B33/1322 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主要由以下质量百分比的原料制成：赤泥40％～50％，铝矾土20％～30％，钾长石5％～10％，高岭土5％～10％，石英砂5％～10％。本发明的陶瓷材料以赤泥为主要原料制成，所得陶瓷材料硬度高，致密度好，生产成本低，不仅解决了铝矿业带来的环境污染、占地堆放问题，又能充分利用工业废料，变废为宝，经济效益和环保效益显著。

公开(公告)号：CN102324351A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110263734.5

申请日：2011-09-07

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 曾凡光 ,  麻华丽 ,  陈雷明 ,  田硕 ,  茹意 ,  张天夏 ,  乔淑珍 ,  张锐

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提出一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法，所述新型碳纳米管场发射冷阴极包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。所述方法是把传统的平面型碳纳米管生长工艺改为立体生长工艺，即采用微加工技术在碳纳米管生长基底表面制作出立体微结构，并在立体微结构表面制作单组分或复合金属功能层，使碳纳米管薄膜生长在立体微结构表面的金属功能层衬底上，在不增加阴极尺寸的条件下增加了阴极的发射区域面积，同时利用立体微结构抑制电场屏蔽效应，从而可获得更大的发射电流，并通过金属功能层改善碳纳米管和导电衬底的接触性能，使场发射可靠性和稳定性得到提高。

公开(公告)号：CN114736010A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210345982.2

申请日：2022-04-02

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 赵彪 ,  张锐 ,  严智凯 ,  郭晓琴 ,  关莉 ,  范冰冰 ,  李德鹏 ,  门乔乔

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明属于电磁波吸收材料技术领域，具体涉及一种高熵氧化物陶瓷及其制备方法和作为电磁波吸收材料的应用。分子式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Fe2O4，具有两种晶型：岩盐型和尖晶石型。制备步骤如下：（1）、选取FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO作为原料，称取FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO粉体的摩尔比为1∶1∶1∶1∶1，混合均匀，获得混合粉体；（2）、将步骤（1）制备好的混合粉体压制成圆片生坯，空气气氛下控温在1200‑1300℃煅烧10‑12h，取出煅烧产物即得高熵氧化物陶瓷。本发明以氧化亚铁、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化锌为原料，进行煅烧，获得高纯度、强吸波性能、宽吸收频带的高熵氧化物陶瓷，经分析表明制备得到的高熵氧化物陶瓷的最小反射损耗值为‑52.3dB。

公开(公告)号：CN113930634A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111108563.9

申请日：2021-09-22

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  关莉 ,  王海龙 ,  白爽 ,  李明亮 ,  高前程 ,  张新月 ,  李纪鹏 ,  李哲 ,  赵云龙 ,  范冰冰

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  B22F3/14 ,  C22C32/00 ,  C01G3/02 ,  C01B32/956 ,  C01B33/158

Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。

公开(公告)号：CN113754440A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111271983.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 关莉 ,  张锐 ,  陈家辉 ,  王海龙 ,  李明亮 ,  赵彪 ,  张新月 ,  范冰冰 ,  郭少杰 ,  周逸凡 ,  李永欢

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。