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公开(公告)号：CN111510114B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010426147.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K4/501
Abstract: 本发明公开了一种时钟发生器电路，属于时钟发生器领域。本发明的时钟发生器电路，选择器由S和SN两开关控制，用于选择由偏置电压产生电路输出的参考高电平或参考低电平，比较器的两端分别接选择器的输出和锯齿波，参考电平小于锯齿波时，比较器输出高电平，选择器的两开关S＝0，SN＝1，使选择器输出参考高电平REFH，锯齿波电压不断增大，直至参考电平大于锯齿波，比较器翻转，输出低电平；参考电平大于锯齿波时，过程类似，以上翻转一直持续，从而形成振荡，振荡频率可由REFH和REFL的压差或锯齿信号产生模块的产生速率动态调节。
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公开(公告)号：CN115567787A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211167289.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/589 , H04N25/59 , H04N25/76
Abstract: 本发明公布了一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法，包括第一像元阵列和第二像元阵列；第一像元阵列的像元面积大于第二像元阵列的像元面积；第一像元阵列和第二像元阵列连接可编程增益放大器，可编程增益放大器连接列缓冲驱动电路的一端，列缓冲驱动电路的另一端连接多级高速控制开关的一端，多级高速控制开关的另一端连接模拟列逻辑控制电路的一端，模拟列逻辑控制电路的另一端分别连接单斜式列级并行ADC和芯片级pipeline ADC；单斜式列级并行ADC连接数字列逻辑；芯片级pipeline ADC和数字列逻辑均连接多通道高速LVDS接口模块。可简单有效的提升线阵CIS的响应率，且具有其它线阵CIS不具备的双成像功能。
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公开(公告)号：CN114885108A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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公开(公告)号：CN108242929B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710552969.3
申请日：2017-07-07
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种用于SAR型ADC的多精度抗辐照逻辑控制装置，包括写入外部配置并生成内部配置的控制信号的输入寄存器；采样计数器生成阶段控制信号和格式控制信号；内部时钟发生器产生在转换阶段有效的内部时钟信号；电容控制开关产生电容阵列的采样/保持控制开关信号；中间结果寄存器用于存储AD转换结果；寄存转换模块并行存储AD转换结果，并完成最终的串行输出；其中控制逻辑模块用于实现对上述各个部件进行逻辑控制，使采样阶段与内部转换阶段进行分时处理。该装置能够适用于多种应用环境下的ADC电路，具有面积小，功耗低，扩展性强的优点。
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公开(公告)号：CN110351500B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910614970.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种兼容两种曝光模式的CMOS图像传感器读出电路，包括像元、增益放大器、相关双采样电路、切换电路、斜坡发生电路、模拟数字转换器和计数器；像元输出端连接增益放大器的第一输入端；增益放大器的第二输入端连接切换电路的第一输出端，增益放大器的输出端连接相关双采样电路的输入端，相关双采样电路的输出端连接模拟数字转换器的第一输入端，模拟数字转换器的第二输入端连接斜坡发生电路的输出端，斜坡发生电路的输入端连接切换电路的第二输出端；模拟数字转换器的输出端连接计数器的输入端。本发明读出电路结构能够满足两种曝光模式输出，使两种曝光模式集成于同一相机；且兼容两种曝光模式的同时，基本不占用系统额外的面积和功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111405195B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010209608.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/235
Abstract: 本发明公开了一种双曝光CMOS图像传感器的数据转换装置及其转换方法，属于CMOS图像传感器领域。本发明的双曝光CMOS图像传感器的低回踢数据转换装置及其转换方法，在两种模式之间，通过切换转换ADC比较器的输入，实现双曝光模式下转换ADC比较器的翻转信号均为上升沿，在卷帘模式下，转换ADC比较器正向端接入斜坡信号，比较器负向端接入模拟前端输出信号，其翻转信号为上升沿；在全局模式下，其正负端接入信号切换，其翻转信号仍为上升沿；从而保证两种曝光模式下，斜坡信号和像元输出信号相交引起比较器翻转均产生上升沿信号，保证ADC计数器可复用性。
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公开(公告)号：CN111510114A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010426147.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K4/501
Abstract: 本发明公开了一种时钟发生器电路，属于时钟发生器领域。本发明的时钟发生器电路，选择器由S和SN两开关控制，用于选择由偏置电压产生电路输出的参考高电平或参考低电平，比较器的两端分别接选择器的输出和锯齿波，参考电平小于锯齿波时，比较器输出高电平，选择器的两开关S＝0，SN＝1，使选择器输出参考高电平REFH，锯齿波电压不断增大，直至参考电平大于锯齿波，比较器翻转，输出低电平；参考电平大于锯齿波时，过程类似，以上翻转一直持续，从而形成振荡，振荡频率可由REFH和REFL的压差或锯齿信号产生模块的产生速率动态调节。
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公开(公告)号：CN110049263A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910469549.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵CMOS图像传感器的高速高精度锁相环电路，属于图像传感器技术领域。该锁相环电路，三级交叉耦合互补振荡单元依次反向级联；NM5的栅端接PD信号，NM5的漏端、NM2的栅端、NM3的栅端、NM4的栅端均与输入电压端相连接，NM2的源端、NM3的源端、NM4的源端均与的NM5源端相连，NM2的漏端输出Ictrl1，Ictrl1作为频率调节电流输入第一级；NM3的漏端输出Ictrl2，Ictrl2作为频率调节电流输入第二级；NM4的漏端输出Ictrl3，Ictrl3作为频率调节电流输入第三级。该锁相环电路，提高锁相环内压控振荡器的频率调节范围，并能调节锁相环的振荡器中心频率。
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公开(公告)号：CN113873184B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111277411.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/772 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器芯片级ADC修调系统，包括修调控制模块和修调预写入模块，修调控制模块连接修调预写入模块，修调控制模块用于输出控制信号给修调预写入模块，修调预写入模块的修调输出连接到ADC模块的控制端，与ADC模块的各待修正模块连接，用于输出修调控制信号，针对系统修调预写入、电容失配修调、功耗修调和误差修调，可有效弥补工艺偏差失配、工艺角偏离等因素引起的性能参数下降和功耗超差、提升ADC的关键动态和静态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN110311660B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201910592627.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的D触发器，D触发器有时钟信号输入端C和数据信号输入端D，第一输出端Q和第二输出端QN；时钟输入电路的输入端与时钟信号输入端C连接，输出端分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；SEU监测电路分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器及开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型主锁存器电路分别与数据信号输入端D和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型从锁存器与输出电路连接；输出电路还分别连接第一输出端Q及第二输出端QN。本发明具有良好的单粒子加固能力，并克服了加固触发器不能应用于高速无辐照环境的局限性。
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