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公开(公告)号：CN104111565A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410265615.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关，包括透明衬底，其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器，其中：起偏器给予透过光以初始的极化方向；向列相液晶取向转换层，用于接纳上述具有初始极化方向的透过光，并控制经由其透射出去的光的极化方向；金属薄膜层，其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型，金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称，具有正交的短轴和长轴；当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时，打开光路，反之则激发表面等离激元法诺共振，关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势，同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号：CN119803691A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510286678.9
申请日：2025-03-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种自驱动异质结波长传感方法及波长传感器，其包括：搭建能够实现自驱动异质结波长传感的异质结波长传感器，之后使待测光依次经过第一异质结光电探测器、基底及第二异质结光电探测器，第一异质结光电探测器吸收部分待测光，且其透射率随着波长逐渐增加，第二异质结光电探测器吸收透过第一异质结光电探测器的光；之后检测第一异质结光电探测器中光电流响应强度Iph1以及第二异质结光电探测器中光电流响应强度Iph2；最后通过Iph1及Iph2的比值拟合出待测波长范围内具有单调性的光电流比‑波长曲线，以完成光波传感。本发明兼具工艺简单、成本低廉、无需外加偏压、分辨率高及波长传感灵敏稳定等优势，为波长传感器的设计提供新的思路及方向。
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公开(公告)号：CN119803690A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510286584.1
申请日：2025-03-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种异质结波长传感器及传感方法，其包括：第一光电探测器，其中，第一正面电极上设有第一开孔区，第一电子传输层与第一晶硅薄膜之间形成第一异质结；第二光电探测器，其与第一光电探测器沿第二方向间隔排列，其中，第二正面电极上设有第二开孔区，第二电子传输层与第二晶硅薄膜之间形成第二异质结，第二晶硅薄膜与空穴传输层之间形成第三异质结；反射镜，第一光电探测器及第二光电探测器均设置于反射镜的反射面一侧；隔离板，其设置于第一光电探测器及第二光电探测器之间。本发明相比于现阶段常规传感结构来说，其兼具结构简单、生产加工成本低廉、适用范围广、使用灵活性强、可有效降低器件间反射误差等优势。
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公开(公告)号：CN119317200A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411834898.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/21 , H10F77/14 , H04B10/60 , H04B10/116
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，涉及一种柔性硅基光电器件、接收端及可见光通信系统。柔性硅基光电器件包括背面电极层、空穴传输层、P型硅光吸收层、电子传输层和正面电极层；电子传输层与P型硅光吸收层之间的价带边能量差大于导带边能量差；P型硅光吸收层与空穴传输层之间的导带边能量差大于价带边能量差；电子传输层的禁带宽度大于3.0eV，正面电极层包括多个分立排布在电子传输层表面的栅状电极。本申请提供的方案通过在P型硅光吸收层两侧表面均形成异质结，有效增强了内建电场的强度，加快了光生电子和光生空穴在器件内的流动速度，从而提高了器件的响应速度；同时提高了电子和空穴的收集效率，从而提高了光电器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118857459A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411322736.0
申请日：2024-09-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种测量光电探测器响应时间的电路、系统及方法，涉及传感器测试领域，测量光电探测器响应时间的电路包括探测器与可变电阻并联形成的并联支路；与所述并联支路串联并形成回路的电源和定值电阻；与所述定值电阻并联的示波器，所述示波器与所述定值电阻之间还连接有电容。本发明提供的测量电路在对光电探测器的响应时间进行测量时，不会引入高频噪声，能够测量不同的光电探测器以及探测器在不同偏压下的响应时间。光电探测器即使在产生微弱的电信号情况下，本发明仍能够准确显示其波形。
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公开(公告)号：CN115305498B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111070565.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/087 , C25B11/089 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及制备方法及Pt基合金催化剂及其制备方法。该Pt基纳米合金催化剂的制备方法包括，将光电极放置于至少一个面为透光的包括电解质的电解池内，依据光源发出的激发光从电解池的透光面照射至光电极的表面，沿着激发光入射方向光电极包括依次层叠的活性金属层、钝化层、半导体光吸收层、背导电层及绝缘保护层，基于电化学工作站，且在激发光的照射下，并利用Pt电极、参比电极与光电极匹配，以对光电极的表面进行电化学处理，清洗电化学处理后的光电极，得到Pt基纳米合金催化剂及Pt基纳米合金催化剂修饰的光电极。
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公开(公告)号：CN117460269B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311792932.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法，涉及光电探测领域，双极性光电探测器包括第一导电层，其厚度为15~25nm；光敏层，其厚度为150~250nm，所述光敏层包覆于所述第一导电层的外部；第二导电层，其设置于所述光敏层的表面；以及，衬底，所述第一导电层、光敏层以及第二导电层依次堆叠在所述衬底上。该光电探测器可以分别在短波带和长波带激发极性相反的响应电流，并且能实现较宽范围的响应、极快的响应速度，可以根据实际需求选择特殊波段探测，探测能力大幅度提升。另外，光加密通信方法基于所述双极性光电探测器，该方法无需外加偏压工作，器件损耗低，且器件独特的双极性使得整个加密方式清晰简单，易于操作，减少了消息泄露的潜在问题。
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公开(公告)号：CN115877353A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211486128.4
申请日：2022-11-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种激光测距的接收光机系统。本发明的激光测距的接收光机系统，包括：激光测距接收光学系统和杂散光抑制结构。其中，杂散光抑制结构包括镜筒和遮光罩，镜筒内部设置有镜座，用于固定激光测距接收光学系统中的各光学元件，同时镜筒内还设置有第一挡光环，用于抑制场外25°～43°的杂散光，由此，为实现对视场外25°～85°杂散光进行抑制的目的，设置于外部的遮光罩及第二挡光环仅需对视场外43°～85°杂散光进行抑制，因而其长度可大幅缩短。同时，激光测距接收光学系统中透镜总数为六片，全部采用球面镜，其中有三面为平面，两面为对称面，进一步控制了系统加工成本，降低了装配难度。
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公开(公告)号：CN115657183A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211453036.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种全息曝光‑湿法刻蚀中阶梯光栅的制备方法，包括：将单晶硅棒作为基底，根据所需光栅闪耀角对基底进行斜切处理，生长钝化层和旋涂光刻胶层，对光刻胶层进行全息曝光显影，用莫尔条纹使干涉条纹与基底表面特定晶向平行，提高对准精度；利用灰化技术去除残胶，增大湿法刻蚀窗口，提升湿法刻蚀效率；对灰化处理后基底进行反应离子刻蚀和湿法刻蚀，去除表面光刻胶层和钝化层得到梯形平台光栅，多次氧化沟槽表面的硅再去除氧化层以逐步减小梯形平台，直至出现尖角，提升中阶梯光栅的衍射效率。本发明将全息曝光与湿法刻蚀结合，降低中阶梯光栅的制备成本，并且制备的中阶梯光栅具有无鬼线、低杂散光、闪耀角准确、衍射效率高的优点。
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