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公开(公告)号：CN1145215C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN98800930.7
申请日：1998-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/40 , B23K26/57 , B23K2103/172 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
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公开(公告)号：CN1115572C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN99800571.1
申请日：1999-02-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02B5/0833 , G02B5/0825 , H01S5/18361
Abstract: 在折射率不同的复数的薄膜102，103进行叠层构成的分布反射型多层膜镜的制造方法中，通过液相成膜法形成前述薄膜(102，103)。液相成膜法包括将形成薄膜的薄膜材料涂敷的工序，和将涂敷的前述薄膜材料固化的工序，作为液相成膜法采用喷墨方式。可以简便且在短时间内以微细的排列图案形成薄膜，可以得到高精密且可靠性高的叠层膜，容易控制分布反射型多层膜镜的膜厚和反射率等反射特性。
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公开(公告)号：CN1339240A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00803264.5
申请日：2000-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3293 , G09F9/313 , H01L27/3244
Abstract: 通过将TFT层22的电路部22C退到相邻的EL显示体14的背面侧,能够使相邻的EL显示体14的周端的象素之间的间隔为10μm,使4个EL显示体14从外观上看为一体,能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时,能够维持TFT的象素部的象素间距。
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公开(公告)号：CN1297581A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800436.6
申请日：2000-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L21/288 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02126 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/3124 , H01L21/31695
Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是,采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。
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公开(公告)号：CN1256792A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800210.0
申请日：1999-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 存储器IC10a包括衬底(转移侧衬底)21,和在该衬底21上层积的存储器单元阵列71、存储器单元阵列72及存储器单元阵列73。将各存储器单元阵列71、72和73分别按照薄膜结构的转移方法从图21中的下侧按该顺序层积。所述转移法包括在原衬底上通过分离层形成薄膜器件层(存储器单元阵列)后,对所述分离层照射照射光,在所述分离层的层内和/或界面上产生剥离,将所述原衬底上的薄膜器件层转移到衬底21侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1199507A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法,包括:在所述基板上形成分离层的工序;在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序;通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序;将光照射到所述分离层上,在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序;以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
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公开(公告)号：CN101728422B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910253830.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的围堰层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
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公开(公告)号：CN101728422A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910253830.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的围堰层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
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公开(公告)号：CN100431137C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410039795.3
申请日：2000-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/0337 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。
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公开(公告)号：CN100346222C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410100036.3
申请日：2000-01-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/20 , B06B1/0688 , G02F1/167 , G09G3/344 , G09G3/3493 , G09G2300/08 , H01L41/107 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331
Abstract: 在衬底(11)上按顺序层叠第一电极层(12)、第一压电薄膜层(13)、第二电极层(14)、第二压电薄膜层(15)和第三电极层(16)；限制这些层在厚度方向不扩大或缩小，构成压电传感器。形成多条栅极线(201)和(202)、多条数据线(203)和(204)和薄膜晶体管(205)和(207)；上述薄膜晶体管的一个源-漏与上述数据线连接，另一个源-漏与薄膜压电传感器(208)至(210)的输入侧连接；上述薄膜压电传感器的输出侧与电泳油墨显示元件的电极连接；从而构成电泳油墨显示装置。
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