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公开(公告)号：CN100521160C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN100477079C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610100303.6
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90%高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1495523A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03157964.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/34 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN1231065A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN98800930.7
申请日：1998-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/40 , B23K26/57 , B23K2103/172 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上,之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且,在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160),在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除,并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且,在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是,通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果,薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
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公开(公告)号：CN1143394C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法，包括：在所述基板上形成分离层的工序；在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序；通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序；将光照射到所述分离层上，在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序；以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1448987A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108294.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3255 , H01L27/3293 , H01L51/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2227/326 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于采用薄膜电路的基板间转印技术制造大型半导体装置。通过将多个第2基板(21)拼贴配置进行大型化。作为第2基板(21)，采用两面布线和多层布线的印刷基板和可挠性电路。多个第2基板(21)分别独立驱动，第2基板(21)一部分相互重合，在重合部分上配置驱动电路(23)。又，使多个第2基板(21)的一部分相互重合，在重合部分上连接相互的电路。
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公开(公告)号：CN100339939C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03108294.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3255 , H01L27/3293 , H01L51/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2227/326 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于采用薄膜电路的基板间转印技术制造大型半导体装置。通过将多个第2基板(21)拼贴配置进行大型化。作为第2基板(21)，采用两面布线和多层布线的印刷基板和可挠性电路。多个第2基板(21)分别独立驱动，第2基板(21)一部分相互重合，在重合部分上配置驱动电路(23)。又，使多个第2基板(21)的一部分相互重合，在重合部分上连接相互的电路。
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公开(公告)号：CN1897219A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101859.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种剥离方法和相应的转移方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以及以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠。还提供一种采用所述剥离或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1734749A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN100592467C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610101859.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种剥离方法和相应的转移方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以及以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠。还提供一种采用所述剥离或转移方法制造薄膜器件的方法。
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