公开(公告)号：CN101068025B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610093443.5

申请日：1998-08-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

公开(公告)号：CN101017885A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610144631.6

申请日：1999-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木口浩史 ,  汤田坂一夫 ,  关俊一 ,  宫岛弘夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20

CPC classification number: H05B33/22 ,  G02B5/201 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101005124A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610144629.9

申请日：1999-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木口浩史 ,  汤田坂一夫 ,  关俊一 ,  宫岛弘夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20

CPC classification number: H05B33/22 ,  G02B5/201 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。

公开(公告)号：CN1199241C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1538364A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410043407.9

申请日：1998-08-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/32 ,  H01L27/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

公开(公告)号：CN1505172A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119520.6

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  古沢昌宏 ,  青木敬

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。

公开(公告)号：CN1149636C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN95109198.0

申请日：1995-06-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 岩村直行 ,  森义明 ,  宫下武 ,  宫川拓也 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率，在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元，该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下，适当地选择所述放电气体的类型，按在线方式完成对所述晶片的表面处理，例如抛光、清洗和提供亲水性。

公开(公告)号：CN1146843C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98801519.6

申请日：1998-08-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/30 ,  H01L33/00 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3246 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0223 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以提供一种在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制寄生电容等并且在绝缘膜的上层形成的对置电极中不发生断裂的有源矩阵型显示装置为目的，在有源矩阵型显示装置(1)中，首先，通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置由抗蚀剂膜构成的堤层(bank)，在该堤层(bank)的上层侧层叠薄膜发光元件(40)的对置电极(op)，抑制了寄生于数据线(sig)上的电容。此外，在堤层(bank)中形成中断部分(off)。由于该中断部分(off)是没有起因于堤层(bank)的大的台阶差的平坦部分，故在该部分中对置电极(op)不会断裂。在利用喷射法形成有机半导体膜(43)时用堤层(bank)拦住从喷射头喷出的液状的材料。

公开(公告)号：CN1297581A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800436.6

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  关俊一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695

Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是,采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。

公开(公告)号：CN1269042A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN99800716.1

申请日：1999-02-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/33 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H05B33/12

Abstract: 一种有源矩阵发光装置,它在象素间部分的边界区(71)中象素电极(41)和发光器件(43)的层间部分中具有阶梯形切割的绝缘薄膜(80),每一个阶梯形切割的绝缘薄膜(80)的上部以突出部分(81)的形式突出。因此,在每一个象素(7)中,甚至以覆盖多个象素的方式形成的发光层(43)也由于在突出部分(81)处产生阶梯形切口而被绝缘。因此,避免了这些象素间部分中的串扰,从而改善了显示质量。