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公开(公告)号：CN113419200B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110777057.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明涉及一种探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的电极；通过引线将电极与电流前置放大器的输入端相连；将斩波器的斩波频率、光弹性调制器的一倍频分别作为锁相放大器1、锁相放大器2的参考信号，电流前置放大器的输出端与锁相放大器1、锁相放大器2的输入端相连；激光器发出的光依次通过斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以入射角θ照射在样品上两电极连线的中点；测得不同入射角下的普通光电导电流和圆偏振相关的光电流；计算得到不同入射角下的圆偏振光电导差分电流，通过公式拟合得到Bi2Te3表面态六角翘曲的圆偏振光电导差分电流随入射角的变化曲线。
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公开(公告)号：CN114199782A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111553539.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极;步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析,计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
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公开(公告)号：CN113534021A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110777060.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极；将样品安装在真空杜瓦瓶中；激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点；使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压，通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流；通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流，该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较为简单、快捷，便于日后推广。
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公开(公告)号：CN108983749B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810750695.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及基于K‑SVD训练稀疏字典的光伏阵列故障诊断方法。采集多组光伏发电阵列正常，短路和开路电流样本信号，构造训练样本矩阵；对每个样本信号进行归一化处理；调用K‑SVD算法，确定训练样本矩阵的行数N，列数M，稀疏字典的词汇量K，稀疏度L，以及迭代次数n；利用正常样本矩阵，短路样本矩阵和开路样本矩阵分别训练出正常稀疏字典，短路稀疏字典及开路稀疏字典；调用OMP算法，分别利用三种稀疏字典重构检测样本信号，并计算出三种重构信号和检测样本信号的相关系数；根据检测样本信号和稀疏字典重构信号相关系数的大小实现光伏发电阵列故障的诊断与分类。本发明能够为光伏故障诊断提供了研究经验和研究思路。
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公开(公告)号：CN111628075A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010502998.0
申请日：2020-06-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110208324B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910468994.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种分离三维拓扑绝缘体Bi2Se3的不同线偏振张量引起的线偏振光致电流的方法，首先测量Bi2Se3样品在不同入射角下的线偏振光致电流，接着根据三维拓扑绝缘体Bi2Se3线偏振张量引起的线偏振光致电流随入射角的不同变化关系，将（正入射角的线偏振光致电流‑负入射角的线偏振光致电流）/2得到一个线偏振张量引起的线偏振光致电流，将（正入射角的线偏振光致电流+负入射角的线偏振光致电流）/2得到另一个线偏振张量引起的线偏振光致电流。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110718608A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910992018.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振相关光电流的方法。将锑化碲薄膜贴在铜块上，通过改变铜块的温度来改变锑化碲薄膜的温度，由于激光会对激光照射的区域进行加热，且由于上表面的光强大于到达衬底部分的光强，这样上表面和衬底之间就存在温度梯度；由于热电效应，这个温度梯度就会产生垂直样品表面的热电势能；在这个热电势能的作用下，产生垂直于样品表面的自旋流；由于逆自旋霍尔效应，进而产生横向的与圆偏振相关的电荷流；当温度发生变化后，上表面与衬底之间的热电势能将发生变化，从而使得由逆自旋霍尔效应引起的电荷流也将发生变化，从而实现对圆偏振相关的光电流的调控。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110707179A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910992343.3
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振光致电流的方法。该方法通过改变薄膜的厚度，来改变表面粗糙度，从而调控锑化碲薄膜中圆偏振光致电流；锑化碲薄膜中的圆偏振光致电流信号是由上表面态的信号和下表面态的信号叠加而成；由于上表面态和下表面态的自旋轨道耦合的方向是相反的；当薄膜厚度增加时，表面粗糙度增加，上表面态的贡献减小，上表面态和下表面态信号叠加以后下表面态的信号会占主导，从而使得圆偏振光致电流的大小甚至符号发生变化，起到调控锑化碲薄膜中圆偏振光致电流的作用。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN108008176B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711173022.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种光伏阵列实时状态监测与故障定位系统。包括电压电流传感电路、数据采集卡以及MATLAB上位机数据管理中心；所述电压电流传感电路用以进行光伏阵列的电压和各个组串电流的检测；所述MATLAB上位机数据管理中心用于进行数据采集卡的各项设置以及数据处理；根据所述数据采集卡采集传输至MATLAB上位机数据管理中心的数据，MATLAB上位机数据管理中心通过采用阈值法－Hampel辨识法相结合的光伏阵列离群值检测算法，比较不同光伏组串瞬时电流进行异常检测实现故障定位。本发明系统能够自动定时采集光伏电气数据并快速、准确地判断是否发生故障及实现故障组串定位，从而及时发现光伏阵列中的潜在性故障，保证了光伏发电系统安全、稳定地运行。
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公开(公告)号：CN110328361A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910678271.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒及其制备方法，其是采用种子介导生长法制备骨头状的金纳米棒，然后将硅源在含强碱的金纳米棒溶液中进行水解，使生成的二氧化硅吸附金纳米棒表面，而制得所述二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒。本发明制备的金纳米棒具有骨头形状，并且具有独特的等离子体共振吸收峰，其横轴与纵轴等离子体共振吸收峰之间呈现出连续上升的趋势，使其在宽带范围的光吸收增强，从而可用于光-电转换等新型电子器件的制备。本发明方法相对简单，重复性好，所使用的原料广泛易得，生产成本低廉，适于大范围生产推广。
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