公开(公告)号：CN110707179A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910992343.3

申请日：2019-10-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  潘庆高 ,  赵宜升 ,  程树英

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振光致电流的方法。该方法通过改变薄膜的厚度，来改变表面粗糙度，从而调控锑化碲薄膜中圆偏振光致电流；锑化碲薄膜中的圆偏振光致电流信号是由上表面态的信号和下表面态的信号叠加而成；由于上表面态和下表面态的自旋轨道耦合的方向是相反的；当薄膜厚度增加时，表面粗糙度增加，上表面态的贡献减小，上表面态和下表面态信号叠加以后下表面态的信号会占主导，从而使得圆偏振光致电流的大小甚至符号发生变化，起到调控锑化碲薄膜中圆偏振光致电流的作用。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。

公开(公告)号：CN110707179B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201910992343.3

申请日：2019-10-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  潘庆高 ,  赵宜升 ,  程树英

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种调控碲化锑薄膜圆偏振光致电流的方法。该方法通过改变薄膜的厚度，来改变表面粗糙度，从而调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流；碲化锑薄膜中的圆偏振光致电流信号是由上表面态的信号和下表面态的信号叠加而成；由于上表面态和下表面态的自旋轨道耦合的方向是相反的；当薄膜厚度增加时，表面粗糙度增加，上表面态的贡献减小，上表面态和下表面态信号叠加以后下表面态的信号会占主导，从而使得圆偏振光致电流的大小甚至符号发生变化，起到调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流的作用。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。