公开(公告)号：CN111628075B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010502998.0

申请日：2020-06-05

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  宫泽弘 ,  林培杰 ,  程树英 ,  郑巧 ,  俞金玲

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。

公开(公告)号：CN111628075A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010502998.0

申请日：2020-06-05

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  宫泽弘 ,  林培杰 ,  程树英 ,  郑巧 ,  俞金玲

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。