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公开(公告)号：CN111933715A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011022081.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P-body区、N-body区、N+接触区、P+接触区、源电极、栅电极、栅介质、漏电极；本发明提出的SiC MOSFET器件在源极集成JFET器件，当器件发生短路时，P-body区与P+接触区形成的JFET区以及相邻的P+接触区之间提前夹断，器件的电流增大时，由于栅极-源极电压保持恒定，JEFT区的作用会使碳化硅MOSFET的有效栅极-源极电压降低，从而导致通过MOSFET器件的饱和电流降低，形成负反馈，最终使得该器件的饱和电流相较于传统结构大幅度降低，提高了其抗短路能力。
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公开(公告)号：CN107749420A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/402
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107482058A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710873013.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/7394
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN119093399A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411079550.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明为了优化虚拟同步发电机的在微电网中的频率动态响应性能，提出了一种基于模糊控制器的虚拟同步发电机参数自适应预测控制方法。本发明首先通过采集系统的电压、电流等物理量，设计了一个模糊控制器，自适应调节虚拟同步发电机的惯性系数和阻尼系数。然后将调整后的惯性系数和阻尼用来修改预测模型，通过系统的频率约束方程，求解得到虚拟同步发电机最优参考功率。采用本发明提出的控制方法，能够增强系统的频率动态响应性能，提高了微电网系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN117673154A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311338150.9
申请日：2023-10-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有哑铃状体内埋层的新型LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层、第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极、第一介质氧化层、第二介质氧化层。第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于漂移区体内；本发明通过新型工艺制造方法在漂移区引入哑铃状第一导电类型埋层与条形第二导电类型埋层，使器件漂移区内开态时形成更宽的导电路径，能够实现比导通电阻的降低；此外，该结构能够优化器件表面电场分布，解决器件可靠性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116953239A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310693299.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G01N33/574 , G01N33/58 , G01N27/72
Abstract: 该发明公开了一种应用于乳腺癌细胞检测的双模式传感器，本发明涉及乳腺癌细胞检测、磁学、微电子学与固体电子学等交叉领域，首次提出使用双模式磁传感器检测血液中与抗体偶联的磁性颗粒的方法。该发明通过导线或线圈通电产生磁场吸引血液中的磁性颗粒于芯片上表面；设计了与血液中磁性颗粒的大小相当的小尺寸TMR传感器和霍尔传感器阵列，保证颗粒存在时，传感器能产生明显的输出电压；在TMR传感器中设计了挡板来固定颗粒，使其每个颗粒分割开来，防止颗粒集中或者多个颗粒沿传感器深度方向堆积而检测不到，提高了传感器输出电压和磁性颗粒数目的线性度以及准确率。
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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN113555424B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110829052.X
申请日：2021-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN107342321B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN113065304B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110340867.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为一种基于滑动窗口的环路延时估计方法。该方法依据一阶导数的一般定义得出本发明的“一阶导数”公式；利用滑动窗口的“一阶导数”差分运算结果、结合比较器对整数环路进行延时估计；得出整数环路延时，然后在分数环路延时采用与整数环路延时相同的方法估计出，最后将分数环路延时与整数环路延时相加得到总的环路延时值。由于整个计算过程仅通过加法器、减法器和比较器即可在FPGA中实现；结合滑动窗口、有效降低了计算过程的数据点，从而减少计算量。与现有技术相比，本发明提供的一种基于滑动窗口的环路延时估计方法精确度高，资源消耗少，易于在FPGA中实现。
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