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公开(公告)号：CN108258041A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810042181.2
申请日：2018-01-17
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层及三栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用三栅结构增大沟道密度，其槽栅底部未与埋氧层接触，且在平面栅及槽栅下方靠近漂移区的部分引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度的情况下仍可维持高耐压。器件在阴极引入P埋层，提升器件的抗短路能力。本发明相对于传统薄SOI LIGBT结构，具有更低的正向导通压降,同时具有更好的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN107482058A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710873013.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/7394
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN107482058B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710873013.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN108258041B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810042181.2
申请日：2018-01-17
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层及三栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用三栅结构增大沟道密度，其槽栅底部未与埋氧层接触，且在平面栅及槽栅下方靠近漂移区的部分引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度的情况下仍可维持高耐压。器件在阴极引入P埋层，提升器件的抗短路能力。本发明相对于传统薄SOI LIGBT结构，具有更低的正向导通压降,同时具有更好的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN207199628U
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201721232526.8
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件。本实用新型主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本实用新型的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本实用新型具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119651326A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411778222.6
申请日：2024-12-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/08022
Abstract: 一种中心频率稳定且可调谐的微波光子滤波器，属于微波光子领域。所述微波光子滤波器包括光放大器、第一光隔离器、1×2光耦合器、上传‑下载型微环谐振腔、第一环形器、微波源、电功分器、第一相位调制器、强度调制器、从激光器、第二环形器、第二相位调制器、第二光隔离器、光电探测器。本发明提供的一种中心频率稳定且可调谐的微波光子滤波器，利用同一个谐振环传输端和下载端光滤波的互补特性，将MPF中光载波与带阻型光滤波器中心角频率差锁定，使得光载波与带阻型光滤波器之间的角频率差固定为2πNfm，从而获得中心频率为Nfm的带通MPF，消除了温度对MPF中心频率的影响，实现了中心频率稳定的MPF。
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公开(公告)号：CN119626721A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411867549.0
申请日：2024-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高升压比平面矩阵变压器，用于LLC谐振电路中对谐振腔输出电压进行升压，包括变压器磁芯（10）、两个原边绕组（20）、两个副边绕组（30）、原边绕组引脚（40）和副边绕组引脚（50），所述变压器磁芯进一步包括磁芯上极板（103）、磁芯下极板（104），磁芯下极板上设置的两个磁芯中柱（101），以及两个磁芯侧腿（102），其中变压器磁芯（10）总体结构呈中心对称，变压器的磁芯中柱（101）的数量为2，横截面相同，都呈两个半圆夹一个矩形的形状，并行排列且都开有同样长度的气隙；两个磁芯中柱上的绕组绕制方向互为相反，形成磁通方向也互为相反；两个磁芯侧腿（102）分别并行排列在一个磁芯中柱的左侧和另一个磁芯中柱的右侧。
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公开(公告)号：CN118738987A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410783177.7
申请日：2024-06-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 一种克尔孤子晶体光电振荡器，属于微波光子学技术领域。所述光电振荡器包括激光源、调制器、光纤、滤波器、探测器、电放大器、电功分器、电耦合器、微波信号源1和微波信号源2；当调制器为相位调制器、滤波器为光滤波器时，通过控制微波信号源1和微波信号源2的开关状态、工作模式、功率和频率，以及激光源的工作模式，实现输出微波孤子频率梳信号的克尔孤子晶体光电振荡器、输出纯净微波孤子频率梳信号的完美孤子晶体光电振荡器和输出线性调频的纯净微波孤子频率梳信号的频域锁模完美孤子晶体光电振荡器三种可重构状态的切换。本发明首创可控完美孤子晶体光电振荡器技术研究，率先提出利用两个微波信号源抑制完美孤子晶体光电振荡器中超模噪声的方法，产生中心频率、梳齿间隔可调谐的纯净微波孤子频率梳信号，有望满足现代雷达等电子信息系统对高性能微波频率梳信号源技术的迫切需求。
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公开(公告)号：CN118299422A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410374664.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L23/34 , G01K13/00 , G01K7/00 , G01K1/14 , G01K1/143
Abstract: 本发明提供一种集成温度传感器的半导体器件，其包括至少一个元胞。包括正面电极(阴极电极)、背面电极(阳极电极)以及位于两电极之间的半导体单元，包括隔离介质、源区接触、发射区接触、第一基区、发射区栅极结构、第二基区、漂移区、场截止区、集电区、栅极结构、采样结构隔离介质、第一采样区材料、第二采样区材料、第一采样区电极、第二采样区电极、第三采样区电极。其中，第二基区内部的第一、第二采样区材料形成的半导体结构，具备温度敏感的电学特性，能够通过第一、第二采样区电极引出的电信号反映器件内部的实时温度，并通过第三采样区电极调节采样信号的幅值。
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公开(公告)号：CN117206295A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311383627.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应光伏镀膜玻璃自动清洗装置，包括装置平台、清洁装置、清洁箱、清洗液超声机、超纯水超声机、酒精超声机和烘干机，所述清洁箱的一侧设有入料口，所述清洁箱的另一侧的底部设有引导出料装置，所述清洁装置设置在清洁箱内，所述清洗液超声机、超纯水超声机、酒精超声机和烘干机依次并排设置，所述清洗液超声机位于引导出料装置的正下方，所述清洗液超声机与超纯水超声机之间、超纯水超声机与酒精超声机之间、酒精超声机与烘干机之间均设有转运机构，所述清洁装置设置清洁箱内，并且与入料口和引导出料装置相配合。本发明的装置在光伏镀膜玻璃清洗领域具有革命性的改进，具备自适应性、高效性、安全性、可持续性和环保性。
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