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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107731901A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/7397
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107731901B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107749420A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/402
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN207409496U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721552279.X
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207409497U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721551911.9
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN115799336A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211553448.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流肖特基二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管。本发明通过凹槽栅实现常关的增强型器件。反向续流时，肖特基二极管先于晶体管导通，实现低的开启电压和低的导通压降。正向导通和阻断时，肖特基二极管关断，不影响晶体管的开启和关断性能；且栅极场板与阳极场板优化电场分布，从而提高击穿电压。本发明的有益效果为，本发明的器件为增强型器件兼具低反向开启电压、低泄漏电流，高正向阻断电压的优点，实现场效应晶体管和续流二极管的单片工艺集成，减少功率集成系统寄生电感和体积。
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公开(公告)号：CN113066871A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110317636.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/40
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有变K介质槽复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管(JBSD)。本发明的主要特征是新器件引入了变K介质槽复合终端，且复合终端主要包含：与氧化镓相比具有更小介电常数和更高临界击穿电场强度的凹槽形状介质层，填充在凹槽形状介质层上且介电常数更大的介质层，与阳极金属连接的倾斜场板。反向阻断时，凹槽形状介质层使器件能在较短终端长度下承受高外加电压；倾斜场板和填充介质层能吸引电位移线，从而大幅缓解有源区边界PN结的电场尖峰，提高器件耐压。相较于采用常规终端结构的氧化镓JBSD，本发明可在更短的终端长度下提高器件耐压，增强器件可靠性。
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公开(公告)号：CN119521725A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411591195.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件。异质结场板由漂移区上方的P型氧化物和漏极侧再生长的氧化镓构成，能起到调制器件表面电场分布的作用，提升器件耐压。P型氧化物和漂移区氧化镓的作用类似于超结的P/N柱，引入辅助耗尽效应，提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻，并且没有硅基横向器件带来的衬底辅助耗尽效应，能更好的调控电荷平衡。P型氧化物采用溅射工艺，避免了刻蚀带来的界面问题。
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公开(公告)号：CN119361543A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411442720.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/32 , H01L23/367
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种旋转加压型功率二极管模块封装结构。本发明包括正极金属构件、双端带有内螺纹的绝缘材质套筒、正极金属垫片、功率二极管芯片、负极金属垫片、带有外螺纹的负极金属圆盘、塑封外壳；绝缘材质套筒旋转固定于基板凸台上，随后依次将正极金属垫片、功率二极管芯片、负极金属垫片以及带有外螺纹的负极金属圆盘装配于绝缘材质套筒内，最后将塑封外壳安装并固定于基板上，完成模块装配；通过旋转负极金属圆盘加载压力，保持组件间的良好接触；负极金属圆盘中心刻有凹槽，用于散热器定位及外接工具旋转加压，负极散热器中心刻有与凹槽匹配的凸起，用于散热器定位并防止加压结构松脱。
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