一种自适应低损耗功率器件

    公开(公告)号:CN113555424A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110829052.X

    申请日:2021-07-21

    Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于:具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时,阳极端自适应MOS结构处于关闭状态,器件导通时不会出现snapback现象;同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中,随着阳极电压逐步上升,多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启,可加速漂移区内存储的电子抽取,有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时,阳极自适应MOS开启,提供泄漏电流释放路径,防止寄生PNP晶体管触发,改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT,本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。

    一种自适应低损耗功率器件

    公开(公告)号:CN113555424B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202110829052.X

    申请日:2021-07-21

    Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于:具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时,阳极端自适应MOS结构处于关闭状态,器件导通时不会出现snapback现象;同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中,随着阳极电压逐步上升,多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启,可加速漂移区内存储的电子抽取,有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时,阳极自适应MOS开启,提供泄漏电流释放路径,防止寄生PNP晶体管触发,改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT,本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。

    用于无损交换机多个跨片通道的负载均衡与加速的方法

    公开(公告)号:CN119854238A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510009809.9

    申请日:2025-01-03

    Abstract: 本发明提供了一种用于无损交换机多个跨片通道的负载均衡与加速的方法,包括:crossbar节点流量分配模块基于源端口方式为节点分配数据,每个包重组模块,按照预定字节区间进行数据重组;异步时钟仲裁模块对重组数据帧进行异步仲裁;多通道均衡分流模块,采用流水线方式分发重组数据帧均分至每个跨片通道,再接收其他FPGA的重组数据帧;多通道流量汇聚模块利用流水线模式汇聚数据帧;每个包重组模块,将汇聚的数据帧解重组再分配至对应的交换节点。本发明能够有效提高跨片通道的数据传输效率和性能,确保数据在不同FPGA之间高效、均衡地流动,从而提升整个通信网络的稳定性和可靠性。

    视频文本检索模型的训练方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119848294A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202311357183.8

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本申请公开了一种视频文本检索模型的训练方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取训练样本;对原始视频和文本数据进行特征提取,得到视频帧特征和文本特征,其中,视频帧特征包括全局视频帧特征和局部视频帧特征;根据视频特征和文本特征对视频文本检索模型进行训练,并得到进行训练时的损失函数,其中,损失函数基于第一相似度值和第二相似度值确定,第一相似度值基于局部视频特征和文本特征进行训练得到,第二相似度值基于全局视频特征和文本特征进行训练得到;在根据损失函数确定训练完成的情况下,得到训练好的视频文本检索模型。提高了视频检索匹配的准确性。

    一种自适应性高压低损耗功率器件

    公开(公告)号:CN115832036B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202211453126.5

    申请日:2022-11-21

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种自适应性高压低损耗功率器件。相比传统LIGBT结构,本发明在LIGBT阳极端引入自适应性PMOS结构,且该PMOS结构栅极由集成二极管控制。正向导通时,PMOS沟道关闭,电子抽取路径被阻断从而消除了snapback(电压折回)效应。关断过程中,随着阳极电压上升,LIGBT阳极PMOS沟道自适应性开启,漂移区内电子由电极11转化为空穴后,经PMOS沟道从P+集电区抽出;同时P+集电区与N型缓冲层几乎等电位短接,抑制P+集电区向漂移区注入空穴,二者共同加速器件关断以降低关断损耗。正向阻断时,P+集电区的空穴电流经POMS沟道由电极11转化为电子电流注入到漂移区,形成类MOS击穿模式,提高了击穿电压。因此,本发明具有更小的关断损耗和更高的击穿电压。

    一种基于卷积神经网络的图像去噪方法

    公开(公告)号:CN119831880A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411797221.6

    申请日:2024-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于卷积神经网络的图像去噪方法,包括以下步骤:S10,含有噪声的图像通过一个多尺度空洞卷积模块;S20,经过由3CBlock_n模块和Conv模块组合的特征提取阶段,采用跳跃连接的方式,每一层输入都为与之前层的输出合并而成的特征图,使用Concat操作将不同层的特征图拼接在一起;S30,以EndConv模块的输出作为噪声图像,用原图像减去噪声图像就得到了去噪后的图像。本发明提出的去噪方法在实际应用中具有广泛的适用性和显著的实用价值,能够有效解决电力设施监控中遇到的图像噪声问题,为电力系统的安全运行提供重要的技术支持。

    一种基于π型结构的高速无损以太网转发的网络系统

    公开(公告)号:CN119676188A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411872197.8

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于π型结构的高速无损以太网转发的网络系统,属于通信技术领域,包括:输入优先级队列模块、PFC帧发生模块、轮询仲裁模块、帧解析模块和输出调度模块;本发明的输入优先级队列模块支持多优先级且可通过应用终端定义优先级,轮询仲裁模块提供极为精细化的优先级仲裁分配,输出调度模块能够网络负载并保障网络稳定性,本发明能在不干扰无损网络的前提下对网络进行监控,高可配置性实现可接入网络的多样性,是一种能够完美适应大规模网络数据中心环境,以及可以支持高效流量管理、灵活网络配置与强大安全保障的转发系统。

    用于交换机的跨片流量无损传输的多级流控系统

    公开(公告)号:CN119254724A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411334902.9

    申请日:2024-09-24

    Abstract: 本发明提供了用于交换机的跨片流量无损传输的多级流控系统,每个流控系统包括:crossbar架构、第一单元和第二单元;crossbar架构用于通过跨片总线将当前片跨片数据帧发送到第一单元;第一单元用于对当前片跨片数据帧进行地址表项更新,并在负载均衡策略以及速率控制策略的共同作用下,选择对应的发送通道和与相邻流控系统的第二单元匹配的接收速率,基于地址表项更新的结果将当前片跨片数据帧发送到相邻流控系统;第二单元用于获取相邻跨片数据帧,在负载均衡策略以及速率控制策略的共同作用下,根据相邻跨片数据帧的目的MAC地址,确定目的端口号;crossbar架构还用于按照目的端口号对相邻跨片数据帧进行数据转发。

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