-
公开(公告)号：CN104762584A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510038395.9
申请日：2015-01-26
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种反应喷涂陶瓷固溶体基陶瓷-金属共晶纳米复合涂层的制备方法，该方法包括以下步骤：1）原料粉准备：用反应喷涂制备陶瓷-金属共晶型纳米复合陶瓷涂层的复合喂料的原料选择及成分配比，2）复合喂料的制备；3）共晶纳米复合涂层的制备方法，用大气等离子喷涂法制备[Cr+(Crx,Al1-x)2O3]共晶复合纳米涂层。本发明得到的共晶型纳米复合陶瓷涂层为：基体为成分可调控陶瓷固溶体，金属相呈纳米颗粒（棒）状弥散分布在陶瓷基体上，得到陶瓷固溶体基陶瓷-金属共晶纳米复合涂层。本发明所制备的[Cr+(Crx,Al1-x)2O3]共晶纳米复合涂层，具有较高的韧性、耐磨性、抗高温氧化性及耐蚀性。
-
公开(公告)号：CN104694868A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510116660.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种氮化物-氧化物复合多孔陶瓷涂层的制备方法，该方法包括以下步骤：第一步，将金属粉与造孔剂均匀混合，备用；所述的造孔剂为TiH、NaCl或活性炭；第二步，多孔涂层的制备：在基体表面，采用等离子喷涂的方法次喷涂：（1）喷涂Ni-Al、CoCrAlY或NiCrAlY自熔合金粉，制备多孔涂层的合金底层，底层厚度50-80μm；（2）喷涂第一步混合的金属粉和造孔剂的混合粉，制备多孔氮化物-氧化物复合涂层。本发明通过控制造孔剂的比例，控制涂层内的孔隙，有效地制备高熔点（TiN的熔点2950℃）的、具有网络结构的多孔氮化物-氧化物复合陶瓷涂层，孔隙率最高可以达到38%。
-
公开(公告)号：CN103345958A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310227461.8
申请日：2013-06-07
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种含反应等离子喷涂纳米TiN中间层的复合电极材料，该材料组成包括基体，基体上面的粘结底层，粘结底层上面的反应等离子喷涂纳米TiN中间层，以及中间层上面的氧化物催化层；其中，基体是铁基或钛基；粘结底层为含Ni95wt.%的镍铝自熔合金或含Fe50wt.%的铁铝自熔合金层，厚度为30-70μm；反应等离子喷涂纳米TiN层中间层厚度为300-500μm；氧化物催化层厚度10-30μm。本发明与常规钛基和铁基的电极相比，复合电极的析氧电位明显提高（提高20%-25%），Ti/TiN/Sb-SnO2复合电极复合电极的强化寿命为无中间层常规电极的3倍，Fe/TiN/PbO2复合电极的强化寿命是Ti/PbO2的360倍。
-
公开(公告)号：CN100363256C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610013971.5
申请日：2006-05-31
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/158 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法，旨在提供一种生产工艺简单，稳定性高的高浓度酸性硅溶胶的制备方法。首先采用阳-阴-阳三次离子交换纯化硅溶胶，之后，将交换后的硅溶胶中加入聚醚型非离子表面活性剂，硅溶胶与活性剂的体积比为1000∶1-1000∶10；再在配制好的硅溶胶溶液中加入酸调整pH值即可。本发明的方法既纯化了硅溶胶，又保障了硅溶胶在酸性条件下的稳定性，简化了生产工艺，提高了生产效率。采用本发明的方法设备成本低、生产时间短、能耗低。
-
公开(公告)号：CN100363255C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610013970.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/158 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的纯化方法，旨在提供一种有效的降低硅溶胶中金属离子的含量，以提高晶片质量的硅溶胶的纯化方法。将盐酸注入阳离子交换树脂中搅拌，制备酸性阳离子交换树脂；然后将高金属离子含量的碱性硅溶胶加入到酸性阳离子交换树脂中，交换，同时测定Zeta电位，得酸性硅溶胶；将氢氧化钠注入阴离子交换树脂中搅拌，制备碱性阴离子交换树脂；将酸性硅溶胶加入到碱性阴离子交换树脂中在交换，同时测定Zeta电位，得到显碱性的硅溶胶；再将交换后的碱性硅溶胶加入到酸性阳离子交换树脂中交换，同时测定Zeta电位，得到低金属离子含量的酸性硅溶胶。本发明能满足纯度要求，设备成本低、纯化时间短。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1862770A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610014044.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/203 , C23C16/24 , C23C16/458 , C23C14/14 , C23C14/50
Abstract: 本发明公开了一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，旨在提供一种在降低热应力作用的同时还能消除机械应力的影响，以控制和消除外延生长中产生的滑移线和高应力集中区，而且工艺简单，生产效率高的能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置。包括基座本体，所述基座本体上设置有安放槽，与所述安放槽底部边缘的距离为1－5mm处设置有最外圈沟槽，最外圈沟槽内的安放槽内设置有互相连通的沟槽。使用本发明的装置，在消除热应力的同时还消除了机械应力的影响，其效果超过了SEMI国际标准，达到了控制和消除滑移线与高应力集中区的工艺目的，而且使得工艺简单，便于操作，生产效率高，成本低。
-
公开(公告)号：CN1594080A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410019069.5
申请日：2004-07-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/148
Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zata电位绝对值监控粒子生长，确定Zata电位绝对值为28－30mv为生长临界电位，确定Zata电位绝对值为50－70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zata电位绝对值，使制备粒径为100－130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。
-
-
公开(公告)号：CN107460431A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710945049.8
申请日：2017-10-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种改善6061铝合金表面等离子喷涂Ni60A涂层结合强度的方法。该方法以6061铝合金为基体，利用等离子喷涂技术在基体表面依次喷涂NiCrAlY和Ni60A复合粉末，制备NiCrAlY粘结层和Ni60A工作层，最后将制备的产品放入真空炉中热处理。本发明制备的Ni60A涂层结合强度高，耐磨性能好，涂层结合强度≥30Mpa，显微硬度可以达到1100HV0.1以上，提高了6061铝合金基体表面耐磨性能，有效延长了涂层的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN107287547A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710579774.8
申请日：2017-07-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明硼化钽复合涂层的制备方法，涉及硼化物对金属材料的涂覆，采用热喷涂原位反应合成硼化钽复合涂层，步骤是：配制用于热喷涂的氧化钽/碳化硼/铝复合粉；对所需涂层的基体材料表面进行预处理；硼化钽复合涂层的制备。本发明克服了现有技术制备硼化钽复合涂层的制备工艺复杂、成本高、污染大，沉积效率低、涂层厚度低、涂层致密度低、均匀性差、韧性低，涂层与基体结合力差、容易开裂和不适合在大规模工业生产中应用的缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.025 seconds)
