公开(公告)号：CN1667155B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510052718.6

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  大石祐一 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  中村久三

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一方的靶(31a～31f)置于正电位，并作为阳极起作用，所以，相邻靶(31a～31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a～31f)之间什么都不配置，故可以缩短靶(31a～31f)间的距离s，由于在配置了靶(31a～31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小，故溅射粒子均匀地到达衬底(5)，从而使膜厚分布变得均匀。

公开(公告)号：CN101568998A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。

公开(公告)号：CN101563739A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047391.0

申请日：2007-12-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 永田浩 ,  中村久三 ,  加藤丈夫 ,  中塚笃 ,  向江一郎 ,  伊藤正美 ,  吉泉良 ,  新垣良宪

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08 ,  C01B35/04

CPC classification number: H01F41/026 ,  H01F1/0577 ,  H01F7/02 ,  H01F41/0293

Abstract: 本发明提供一种永磁铁的制造方法，在Dy或Tb附着到烧结磁铁S表面之前，不必进行清洁该烧结磁铁表面的工序，即可使Dy或Tb扩散到其晶界相中，以提高永磁铁的生产效率。其方法为：将铁－硼－稀土类系的烧结磁铁S配置到处理室20内并加热到规定温度的同时，使配置在相同或其他处理室内的至少含Dy及Tb中的一种的氢化物构成的蒸发材料V蒸发，使该蒸发的蒸发材料附着到烧结磁铁表面，使该附着蒸发材料的Dy、Tb金属原子扩散到烧结磁铁的晶界相中。

公开(公告)号：CN101427609A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014739.6

申请日：2007-04-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小松孝 ,  中村久三 ,  片桐弘明 ,  谷典明 ,  斋藤一也

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G09F9/40

CPC classification number: C09K11/565 ,  H01L27/3267 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105)，并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强，所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，可以从同一位置放射发光光线。

公开(公告)号：CN102575779B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201080038814.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村久三 ,  柴山浩司 ,  和田慎一 ,  迫田圣也

IPC: F16K3/10 ,  F16K3/18 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K3/10 ,  F16K1/2085 ,  F16K3/188

Abstract: 本切断阀包括：阀体(10、10a、10b)，具有中空部(11)、隔着所述中空部(11)而设置的第一开口部(12a)及第二开口部(12b)、形成于所述第一开口部(12a)的周围的内表面以及通过所述中空部(11)、所述第一开口部(12a)及所述第二开口部(12b)的流动通道(H)；支撑体(30)，配置在所述中空部(11)内；阀片(40)，具有固定设置于所述支撑体(30)上的固定阀部(50)、以包围所述固定阀部(50)外周的方式配设并沿所述流动通道(H)延伸的方向滑动的活动阀部(60)、第一周围区域(40a)和第二周围区域(40b)；第一施力部(70)，配置在所述第一周围区域(40a)，使所述活动阀部(60)向所述第一开口部(12a)移动，使所述活动阀部(60)与所述内表面抵接，并将所述活动阀部(60)按压到所述内表面上，以关闭所述流动通道(H)；以及第二施力部(80)，配置在所述第二周围区域(40b)，通过使所述活动阀部(60)向所述第二开口部(12b)移动，使所述活动阀部(60)从所述内表面分离而开放所述流动通道(H)。

公开(公告)号：CN101861640B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880116198.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 崎尾进 ,  竹井日出夫 ,  齐藤一也 ,  渡边一弘 ,  井口真介 ,  山川洋幸 ,  中村久三 ,  林郁欣 ,  张晃崇 ,  吴东荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05K3/381 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/24 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2203/095 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。

公开(公告)号：CN101939829B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN101978094B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980109274.1

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 赤松泰彦 ,  中村久三 ,  小林大士 ,  清田淳也 ,  汤川富之 ,  武井应树 ,  大石祐一 ,  新井真 ,  石桥晓

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。

公开(公告)号：CN101971350B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980109094.3

申请日：2009-04-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  石桥晓 ,  中村久三 ,  增田忠

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/185 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种即使暴露于氢等离子体中也不发生剥离的金属布线膜。由紧贴层(51)和金属低电阻层(52)构成金属布线膜(20a)，该紧贴层(51)在铜中添加有添加金属而成，该金属低电阻层(52)配置在紧贴层(51)上，由纯铜构成。紧贴层(51)中包括含有由Ti、Zr或Cr中的至少一种构成的添加金属和氧的铜合金，当构成与硅层紧贴的源极电极和漏极电极时，即使暴露于氢等离子体中，紧贴层(51)和硅层的界面也不析出铜，在紧贴层(51)和硅层之间不发生剥离。当添加金属变多时，紧贴层(51)不会被用于对金属低电阻层(52)进行蚀刻的蚀刻液蚀刻，所以，能够蚀刻的最大的添加量成为上限。

公开(公告)号：CN101933154B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200980103616.9

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山室和弘 ,  佐藤诚一 ,  矢作充 ,  汤山纯平 ,  中村久三

IPC: H01L31/04 ,  G01R31/00

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/0463 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷(R、A1、A2、A3)的第一分区单元(21s)，根据在彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，来确定缺陷部位，从而限定在所述第一分区单元(21s)内存在结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位，以横穿所述第一分区单元(21s)和与所述第一分区单元(21s)相邻的第二分区单元(21)之间的边界部(19)的方式，对所述第一分区单元(21s)和所述第二分区单元(21)照射激光光线，去除或分离所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)，其中，所述第一分区单元(21s)包含存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位。