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公开(公告)号：CN101026221A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078832.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3281 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中，第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。
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公开(公告)号：CN101017668A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710005511.2
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
Abstract: 一种用于制造磁阻效应元件的方法，该磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层。该方法包括：形成将成为磁化固定层或磁化自由层之一的至少部分磁性层；形成功能层，该功能层包括位于该磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将功能层暴露于离子束辐射或等离子体辐射之一从而去除部分功能层。
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公开(公告)号：CN1278306C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN1674094A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
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公开(公告)号：CN1637859A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1137466C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明涉及一种交换结合膜，使用了该交换结合膜的磁阻效元件，使用了该磁阻效应元件的磁头和使用了所述光换结合膜的磁存储装置。本发明的交换结合膜，具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜，例如使用氧含量为重量百分比1%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性，而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极。
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公开(公告)号：CN100541852C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610143645.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H03B15/00 , H01F10/32 , G01R33/09 , G11B5/39 , G01D5/16 , H04B5/00 , B60R11/00 , G01S7/00
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101510754A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004488.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101330125A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810087954.5
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种力求降低自旋注入噪声(STIN)的磁阻效应元件、磁头、以及磁读取装置。该磁阻效应元件构成为包括：具有磁化自由层、磁化固定层、以及配置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层的磁阻效应膜；配置于所述磁阻效应膜的所述磁化固定层上的磁耦合层；配置于所述磁耦合层上的铁磁性层；配置于所述铁磁性层上的反铁磁性层；对于所述磁化自由层加上其方向与所述磁阻效应膜的膜面大致平行且与所述磁化固定层的磁化方向大致垂直的偏置磁场的磁畴控制膜；以及使从所述磁化自由层至所述磁化固定层的方向的电流通过所述磁阻效应膜用的一对电极，不对称度为正，所述电流流动方向的元件电阻RA小于等于1.5Ωμm2。
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公开(公告)号：CN100446086C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510099817.X
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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