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公开(公告)号：CN101851781B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010137608.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN102352485A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110297648.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 新疆大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , H01L43/12 , H01F41/18 , H01F10/193
Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102321915A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110295405.9
申请日：2011-10-08
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN101823769A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168154.3
申请日：2010-05-11
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明公开了一种水热合成三元FexCo1-xS2粉末的方法，是通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1∶19∶40-3∶17∶40将分析纯的FeCl2·4H2O、CoCl2·6H2O和Na2S2O3·5H2O溶入35ml去离子水中，经磁子搅拌器搅拌15min使得反应物充分溶解且均匀混合。将混合液移入50ml反应釜中，密闭反应釜后置于140℃恒温箱中，反应时间为24h，取出反应釜后自然冷却至室温。滤出釜底沉淀物，用无水乙醇(CH3CH2OH)和去离子水清洗数次，并用二硫化碳(CS2)洗去产物中S杂质，最后在60℃下真空干燥6小时。本发明制备出的三元FexCo1-xS2粉末为具黄铁矿结构的微米颗粒。本发明方法简单，成本低，污染少，适合工业大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101514482A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910113235.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发法生长单晶II－VI族半导体化合物ZnS单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnS粉和金属Bi粉或Sn粉按摩尔比为1∶0.005－1∶0.057的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米－3.5厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉腔体达到2×10－2－7×10－3Pa，加热舟电流为120A－140A保持5－15分钟沉积。本发明制备出的硫化锌纳米线为单晶态的六方相结构的ZnS。本发明所得的硫化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103145192B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310105217.4
申请日：2013-03-28
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量，在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min，然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜，随后预退火，最后将薄膜退火，重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于：可以有效抑制铁酸铋中杂相生成；减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度；提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能；生产工艺简单，重现性好，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103204681A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310165324.6
申请日：2013-05-08
Applicant: 新疆大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 本发明公开了Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。采用高纯Ga2O3粉作为Ga源、高纯Si粉或SiO粉作为Si源、高纯NH3气作为N源。将Ga2O3粉和Si粉或SiO粉充分混合均匀。然后将混合好的粉末置于陶瓷舟中，并将陶瓷舟置于水平管式炉中间，然后对管式炉抽真空。最后通入Ar气，进行加热。当温度达到1050℃时，通入的Ar气被替换为250sccm的NH3气并保温3小时后停止加热，在Ar气环境下自然冷却到室温。最后在陶瓷舟中得到淡黄色的粉末。经HF、HNO3和HCI混合溶液清洗后烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN102659174A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210133129.0
申请日：2012-05-03
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结的方法，是通过以下工艺过程实现的：将装有一定量氧化镓（纯度为质量百分比99.999%）粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平刚玉管式炉正中间，在距陶瓷舟20cm-25cm处放置镀金衬底，密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa，Ar气保护下加热水平管式炉到900-1080oC后，通入200sccm的NH3气反应两小时，Ar气保护下自然冷却到室温，在衬底上得到淡黄色的产物。然后将沉积有淡黄色产物的衬底置于真空热蒸发装置上，沉积有淡黄色的产物的一面正对硫化锌源（纯度为质量百分比99.995%），源与衬底距离在1-2厘米，加热电流在100-180A，最后在衬底上产物变为深黄色。本发明所制备的为氮化镓/硫化锌纳米异质结，其特点是：用两步法制备了具有两种不同的异质结构，即纳米线状的核壳结构和糖葫芦状的异质结构。
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公开(公告)号：CN102304699A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110297036.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 新疆大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法。本方法采用无催化剂辅助下化学气相沉积法，以无水AlCl3、无水MnCl2和NH3气分别作为Al源、Mn源和N源，在硅衬底上得到了掺杂Mn的AlN纳米棒阵列。所制备的AlN：Mn纳米棒阵列具有室温铁磁性，可以应用于纳米级电子和光电子器件上，也可以应用于以自旋为基础的多功能器件上，因而它具有重要的研究价值和广阔的应用前景。本方法不使用任何催化剂，制备工艺简单，对设备的要求低，易于推广。
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