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公开(公告)号：CN112655066A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980057575.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
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公开(公告)号：CN112105757A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031094.X
申请日：2019-03-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体的混合物递送到离子植入装置的方法和总成，因此H2以所述气体混合物的25％到67％(体积)范围内的量存在，或GeF4和H2以3:1到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。所述H2气体在混合物中的使用量或相对于所述GeF4气体的使用量防止阴极材料挥发，由此改良所述离子植入装置的性能和使用寿命。根据本公开的气体混合物也在离子植入程序期间产生显著的Ge+电流增益和W+峰减小。
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公开(公告)号：CN111492458A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081071.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J3/04 , H01L21/265
Abstract: 本发明描述一种用于将包括惰性气体和含氟气体的气体递送至等离子体浸没枪的气体供应组件，其中所述组件被配置成将体积不超过所述含氟气体和所述惰性气体的总体积的10％的所述含氟气体递送至所述浸没枪。所述含氟气体可自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物产生挥发性反应产物气体，且从而引起所述等离子体浸没枪中等离子体生成细丝的再金属化。与所述气体量组合，所述组件和所述方法可使用气体流动速率以使清理效果优化且减少使用期间细丝材料自所述等离子体浸没枪的损失。
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公开(公告)号：CN108591559B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810283916.0
申请日：2013-09-20
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明涉及压力调节器和流体供给封装包。一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108565198A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810453542.2
申请日：2013-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L31/18 , H01L33/00
Abstract: 本申请涉及用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流。具体讲，本申请描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
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公开(公告)号：CN104272433B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380019986.0
申请日：2013-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01L31/18 , H01L33/005
Abstract: 描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
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公开(公告)号：CN108027106A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050905.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： G·M·汤姆 , W·K·奥兰德 , J·A·迪茨 , M·J·沃德金斯楷 , E·A·斯特姆 , S·K·迪马西奥 , 王录平 , J·V·麦克马纳斯 , S·M·露尔寇特 , J·I·阿尔诺 , P·J·马甘斯基 , J·D·斯威尼 , S·M·威尔逊 , S·E·毕夏普 , G·尼尔森 , J·D·卡拉瑟斯 , S·N·叶德弗 , 唐瀛 , J·德普雷斯 , B·钱伯斯 , R·雷 , D·埃尔策
CPC classification number: F16K17/003 , F16K17/04 , F16K31/002 , F16K31/0675 , F16K37/0025 , F17C13/04 , F17C2205/0338 , F17C2205/0391 , F17C2270/0518 , H02K49/106
Abstract: 本发明描述了不同类型的流体供应组件，所述流体供应组件用于输送流体到流体利用设施，例如半导体制造设施、太阳能电池板制造设施及平板显示器制造设施。所述流体供应组件包含流体供应容器及多种配置的阀头，可用于构成特性为压力调节式及/或吸附剂式的流体供应组件。
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公开(公告)号：CN107004550A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066887.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J27/20 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/082 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
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公开(公告)号：CN106237934A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610643193.1
申请日：2011-08-28
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
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