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公开(公告)号：CN113739989A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111284298.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于机械加工技术领域，公开了一种电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法，包括以下步骤：把感应膜片焊接在电容式薄膜真空计的圆筒状的腔体的下端；腔体的材料的屈服强度比感应膜片的材料的屈服强度低；在腔体的内壁施加压力后卸载压力，使施加压力时腔体的腔壁的内侧部分、腔体的腔壁的外侧部分和感应膜片分别处于塑性变形状态、弹性变形状态和弹性张紧状态，从而使卸载压力后的感应膜片上具有所需的张紧力；该电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法有利于实现对感应膜片焊接后的张紧力的精准控制。
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公开(公告)号：CN113442459B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN113442459A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN111118599B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911379934.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111778484A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010513293.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111615286A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910131747.3
申请日：2019-02-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及电源冷却技术领域，具体涉及一种微波电源冷却系统。其包括：箱体、冷却装置、第一散热部、第二散热部和第三散热部。该系统一方面采用直冷式一体化铝材冷却水路，使得冷却水和铝材管路可以直接进行热交换，最大限度提高热交换的效率和速度，替代冷却水在铜管里循环，再经过铝板散热的方案；另一方面，该系统采用三个散热部形成一个完整的、稳定的空气气流循环回路，提高冷却效果；此外，该系统还采用了导流管控制冷却后的空气气流集中流向需要冷却的位置，增加冷却效率，使微波电源上的电子器件温度最大可以降低3～5℃。
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公开(公告)号：CN111182767A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911426098.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。
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公开(公告)号：CN111074342A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN119276232B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411812436.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种采用VDMOS器件的射频功率放大器及其调试方法，使用VDMOS器件作为功放管，包括从前到后依次连接的射频输入端、功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块、功率合成模块和射频输出端；功放管为VDMOS器件，功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块和功率合成模块中任意相邻的两个模块之间均设置有隔直结构，解决了现有技术中射频功率放大器结构复杂、输出功率低、频率特性差等问题，具有结构精简、输出功率高、频率特性好、跨导高度线性、安全工作区大等优点。
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