一种高精度射频空心电感及其制备方法

    公开(公告)号:CN117316606B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311602754.X

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种高精度射频空心电感及其制备方法,涉及空心电感设计技术领域。该高精度射频空心电感包括固定支架和导线,固定支架包括至少四个沿固定支架的径向方向凸出且沿固定支架的轴向方向延伸的支撑部;每个支撑部设置有第一V形凹槽;导线的周面紧贴在第一V形凹槽宽度方向的两侧槽面上,且导线沿第一V形凹槽的延伸方向绕制成电感线圈以使电感线圈套设在固定支架上。本发明的高精度射频空心电感利用至少四个支撑部从更多方向固定电感线圈的匝间距,以此避免电感线圈因局部形变而导致电感量的精度下降,有利于确保成品能被用于大功率射频电源阻抗匹配电路中。

    一种高精度射频空心电感及其制备方法

    公开(公告)号:CN117316606A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311602754.X

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种高精度射频空心电感及其制备方法,涉及空心电感设计技术领域。该高精度射频空心电感包括固定支架和导线,固定支架包括至少四个沿固定支架的径向方向凸出且沿固定支架的轴向方向延伸的支撑部;每个支撑部设置有第一V形凹槽;导线的周面紧贴在第一V形凹槽宽度方向的两侧槽面上,且导线沿第一V形凹槽的延伸方向绕制成电感线圈以使电感线圈套设在固定支架上。本发明的高精度射频空心电感利用至少四个支撑部从更多方向固定电感线圈的匝间距,以此避免电感线圈因局部形变而导致电感量的精度下降,有利于确保成品能被用于大功率射频电源阻抗匹配电路中。

    微小薄膜电容信号采集方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN117192199A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311440420.7

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本公开涉及一种微小薄膜电容信号采集方法、装置、设备及介质,该方法包括:采集微小薄膜电容的电压信号;对所述电压信号进行数字化处理,得到数字信号;通过训练完毕的校准模型对所述数字信号进行校准,得到目标数字信号;将所述目标数字信号转换成目标模拟信号,所述目标模拟信号为微小薄膜电容信号。本公开通过采集微小薄膜电容的电压信号;对电压信号进行数字化处理,得到数字信号;通过训练完毕的校准模型对所述数字信号进行校准,得到目标数字信号,在信号处理过程中有效消除薄膜电容传感器产生的误差,将目标数字信号转换成目标模拟信号,目标模拟信号为微小薄膜电容信号,提高了微小薄膜电容信号的采集精度。

    一种真空蝶阀控制方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117148709A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311441738.7

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本申请涉及真空蝶阀技术领域,具体提供了一种真空蝶阀控制方法、系统、电子设备及存储介质,该方法包括以下步骤:获取腔室内的实际气压信息,腔室与真空蝶阀连接;基于预先建立的曲线算法模型根据实际气压信息获取对应的实际阀门位置信息,并基于曲线算法模型根据预设的目标气压信息获取对应的目标阀门位置信息;基于PID控制根据实际阀门位置信息和目标阀门位置信息对真空蝶阀的阀门位置进行调整,以使实际阀门位置信息与目标阀门位置信息相同;该方法能够根据腔室内的气压自适应调节真空蝶阀的阀门位置,从而有效地提高真空蝶阀的调节效率和调节精度。

    一种掺杂金刚石制备方法
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117070917A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311166005.7

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本申请属于光电技术领域,公开了一种掺杂金刚石制备方法,该方法包括:将基材和靶材放置在微波等离子体化学气相沉积系统中反应室的样品台上,反应室进行抽真空操作后,对基材的表面和靶材的表面进行清洗,向反应室输入氢气以及调节反应室的腔体气压和微波功率,以在反应室进行起辉操作和升温操作,以甲烷气体和氢气作为气源,用激光器照射靶材以析出激光诱导等离子体,并使激光诱导等离子体掺入基材表面,以使基材表面生长掺杂金刚石,通过激光技术,使靶材析出的激光诱导等离子体掺入基材表面,以使基材表面制备得到掺杂金刚石,提高了掺杂金刚石制备的效率。

    一种分子束源炉用的加热体的制备方法

    公开(公告)号:CN117047104A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311240776.6

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域,具体而言,涉及一种分子束源炉用的加热体的制备方法,制备金属浆料和两片陶瓷生胚;将所述金属浆料印刷在第一片所述陶瓷生胚的表面,以得到导电线路;将第二片所述陶瓷生胚层叠在第一片所述陶瓷生胚印刷有所述金属浆料的表面上,形成层叠体,将所述层叠体卷成圆筒形并通过热压机进行热压,得到第一样品;将所述第一样品进行烧结,得到加热体;无需通过人工缠绕加热丝,制作简单,适合大批量生产,有效降低生产成本。

    一种Micro-LED的检测装置

    公开(公告)号:CN116500054B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310758442.1

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种Micro‑LED的检测装置,包括:箱体、送料机构、夹盘机构;箱体的内壁上设置有测试组,测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端;夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端,第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上,第一夹盘用于夹取晶圆,夹盘机构与送料机构连接,送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内;多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射,每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光,从而使晶圆的整体检测效果更加准确。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

    一种Micro-LED的检测装置
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116500054A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310758442.1

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种Micro‑LED的检测装置,包括:箱体、送料机构、夹盘机构;箱体的内壁上设置有测试组,测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端;夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端,第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上,第一夹盘用于夹取晶圆,夹盘机构与送料机构连接,送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内;多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射,每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光,从而使晶圆的整体检测效果更加准确。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

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