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公开(公告)号：CN114544065A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
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公开(公告)号：CN119084647A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411583998.2
申请日：2024-11-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种真空调节阀压力控制系统及其控制方法，涉及真空调节阀压力控制技术领域。该控制方法包括通过阀门转速模型获得指定转速后，根据指定转速控制真空调节阀的阀板转动到指定的角度位置；阀门转速模型基于PWM脉冲频率和Simoid函数建立。本发明的真空调节阀压力控制系统的控制方法解决了目前真空调节阀压力控制系统无法满足生产线所要求的响应速度和稳定性的问题，达到提高系统响应速度和稳定性的效果。
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公开(公告)号：CN118070564B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410464333.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征，设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN114871941B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210443467.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
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公开(公告)号：CN117779032A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410025252.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高结合性耐高温复合涂层及其制备方法，属于表面薄膜制备技术领域，方法步骤包括：对基体材料进行微加工刻蚀，以在基体材料表面形成周期性图案，进行喷砂处理，在基体材料表面溅射形成四面体非晶碳过渡层薄膜，继续化学气相沉积出金刚石保护膜，从而在基体材料表面获得高结合性耐高温复合涂层，该方法可以提高金刚石在基体材料上的形核率，增加金刚石保护膜和基体材料之间的结合力，四面体非晶碳薄膜可以贴合不同材料，如金属、塑料、无机非金属等，又不会出现沉积时严重的应力问题，将四面体非晶碳作为基体材料的过渡层可以增加金刚石在基体材料上的稳定性，在高温情况下有效保护基体材料的抗氧化以及抗腐蚀等性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497665A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311496964.5
申请日：2023-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED芯片结构，属于半导体技术领域，该芯片结构包括从下到上依次叠置的衬底、N型半导体层、P‑N结层和P型半导体层，还包括P电极和N电极；P电极设置在P型半导体层的其中一个侧面上，N电极设置在N型半导体层远离P电极的侧面上，在封装接线时，可以避免导线经过芯片结构的出光面，从而提高光照效果。
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公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN113774348B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111107898.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。
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公开(公告)号：CN116029087A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211348133.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
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公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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