公开(公告)号：CN110121765B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN115298722A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202080098351.4

申请日：2020-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山渕浩二 ,  园田通 ,  锦博彦

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

Abstract: 掩模片(3)的边缘(6)与最靠近边缘(6)的蒸镀孔组(5G)之间的X方向上的边框宽度(W3)相对于相邻的两个蒸镀孔组(5G)在X方向上的间隔距离(W4)的比率被设定为规定的第一范围内的值，相邻的两个掩模片(3)之间的X方向上的间隔开口宽度(W1)相对于蒸镀孔(5)在X方向上的开口宽度(W2)的比率被设定为规定的第二范围内的值。

公开(公告)号：CN110476200A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022560.3

申请日：2018-03-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。

公开(公告)号：CN110121765A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN104620389B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201380047510.8

申请日：2013-09-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 嶋田幸峰 ,  锦博彦 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/441 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置(101)包括：基板(1)；以氧化物半导体层(6)为有源层的薄膜晶体管(10)；覆盖薄膜晶体管的保护层(11)；配置在保护层(11)与基板(1)之间的金属层(9d、9t)；形成在保护层(11)上的透明导电层(13、13t)；和用于将金属层(9d、9t)与透明导电层(13、13t)电连接的连接部(20、30)，连接部(20、30)具有与氧化物半导体层(6)由相同的氧化物膜形成、且电阻比氧化物半导体层(6)低的氧化物连接层(6a、6t)，金属层(9d、9t)经氧化物连接层(6a、6t)与透明导电层(13、13t)电连接。

公开(公告)号：CN103299429B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180063129.1

申请日：2011-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原猛 ,  锦博彦 ,  越智久雄 ,  会田哲也 ,  冈部达 ,  中野悠哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。

公开(公告)号：CN102652330B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：CN102473362B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201080029906.6

申请日：2010-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  原猛

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

Abstract: 包括如下工序：在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序；形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序；形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序；在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后，对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序；和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。

公开(公告)号：CN102696112A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080058007.9

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  胜井宏充 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。

公开(公告)号：CN102473727A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。