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公开(公告)号:CN115176299B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202080097504.3
申请日:2020-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/80 , H10K59/131 , H05B33/02 , H05B33/04 , G09F9/30
Abstract: 本发明的显示装置包括TFT层(30a),该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a),在边框区域(F)中,分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb),第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置,保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。
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公开(公告)号:CN110121765B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201780080973.2
申请日:2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法,氧化物半导体TFT支撑于基板(1),以氧化物半导体膜为活性层,半导体装置的制造方法包括:工序(A),准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体;以及工序(B),在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下,对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体,在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A),工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
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公开(公告)号:CN110121765A
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201780080973.2
申请日:2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法,氧化物半导体TFT支撑于基板(1),以氧化物半导体膜为活性层,半导体装置的制造方法包括:工序(A),准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体;以及工序(B),在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下,对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体,在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A),工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
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公开(公告)号:CN115176299A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202080097504.3
申请日:2020-03-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的显示装置包括TFT层(30a),该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a),在边框区域(F)中,分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb),第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置,保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。
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