公开(公告)号：CN115176299B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202080097504.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 见村浩英 ,  村重正悟 ,  武田悠二郎

IPC: H10K59/80 ,  H10K59/131 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。

公开(公告)号：CN110121765B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN110121765A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN115176299A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202080097504.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 见村浩英 ,  村重正悟 ,  武田悠二郎

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。