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公开(公告)号：CN104464870A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410728136.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y40/00 , G21K2201/061
Abstract: 本发明属于电子束光刻加工技术领域，具体为一种高高宽比X射线透镜的制备方法。其步骤包括：在淀积有金属种子层的基片或者隔膜上，利用电子束曝光技术在光刻胶上制备出X光会聚透镜的设计图形，然后利用纳米电镀的工艺，得到高高宽比的condenser结构，最后利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，从而得到具有高高宽比的应用于X射线成像领域的condenser透镜。
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公开(公告)号：CN101692151B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN101692151A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN119984352A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411910137.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光学传感技术领域，具体为全硅基红外光伏偏振光电探测器及其制备方法。本发明根据内光电发射过程，利用光热电子效应，确立在硅纳米线中由外部注入的非平衡热载流子的定向漂移引发光电流的新机制；通过有限差分时域法对器件结构参数优化，设计得到具有高偏振比、在短波红外波段有光电响应率的全硅基红外光伏偏振光电探测器；包括衬底、硅纳米线、金属天线、两个金属电极；探测器分为有源区和无源区，有源区存在金属天线，无源区不存在金属天线。本发明探测器具有室温工作、可调谐高偏振电流比、高响应率、零偏压、低功耗、与CMOS工艺兼容等优势；解决了传统偏振成像系统体积庞大、沉重、成本高等问题，在偏振成像领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN114283959B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111486120.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明属于同步辐射软X射线透镜技术领域，具体为一种同步辐射高分辨软X射线透镜及其制备方法。本发明的同步辐射高分辨软X射线透镜，其结构从下到上依次为：硅基底，氮化硅隔膜，由模板材料与非金属介质材料组成的X射线透镜；X射线透镜采用电子束光刻与ALD工艺制备得到，包括：在氮化硅隔膜上旋涂光刻胶，利用电子束光刻技术在光刻胶上曝光并显影形成模板结构，利用ALD工艺生长非金属介质材料，最后利用套刻与热蒸发工艺制备光束阻挡器，得到该透镜。本发明方法工艺稳定可靠、制备周期缩短、与现有的光刻工艺兼容；制备的软X射线透镜聚焦效率高、分辨率高，适合于对生物细胞、有机材料和介质材料等的X射线高衬度三维成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114236815B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111484301.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明属于光学器件技术领域，具体为一种波带结构光学元件的效率计算方法。本发明推广了薄光栅近似的Kirz公式，能够用于计算X射线与极紫外波段具有波带结构的光学元件的理论效率。本发明适用于能够用函数表达的任意波带形貌，包括矩形的波带片形貌、三角形的Kinoform形貌等。同时也可以计算波带形貌函数随周期发生改变的特殊波带结构的效率，例如受工艺因素影响的非矩形波带片。本发明提出的计算方法对光学元件的形貌进行理论分析和效率计算，具有计算简单，针对性强，适用场景广泛的优点，在波带结构光学元件的设计以及性能分析上具有重要的指导作用。
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公开(公告)号：CN114859668A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210369502.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。
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公开(公告)号：CN112366244B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011100898.1
申请日：2020-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体一种鳍式光伏型硅基等离激元热载流子红外探测芯片及其制作方法。本发明红外探测芯片包括SOI衬底、制作于SOI衬底顶层硅之内的像元阵列、制作于SOI衬底的底层硅中的信号读出电路以及制作于中间介质层内的通孔互连结构。每个单像元器件包括：金属电极、硅纳米线列阵、以及集成于纳米线上的鳍式构筑超表面，以此实现对红外辐射的完美吸收，并将吸收的光子转变成表面等离激元热载流子转移至半导体中，产生光伏信号，实现探测功能。本发明探测芯片采用三维集成工艺制造，将红外感知单元和信号处理单元垂直堆叠起来，层间利用通孔填充技术实现Z方向垂直互联，得到高密度、低功耗、超大阵列规模的单片式焦平面阵列探测芯片。
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公开(公告)号：CN114236815A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111484301.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明属于光学器件技术领域，具体为一种波带结构光学元件的效率计算方法。本发明推广了薄光栅近似的Kirz公式，能够用于计算X射线与极紫外波段具有波带结构的光学元件的理论效率。本发明适用于能够用函数表达的任意波带形貌，包括矩形的波带片形貌、三角形的Kinoform形貌等。同时也可以计算波带形貌函数随周期发生改变的特殊波带结构的效率，例如受工艺因素影响的非矩形波带片。本发明提出的计算方法对光学元件的形貌进行理论分析和效率计算，具有计算简单，针对性强，适用场景广泛的优点，在波带结构光学元件的设计以及性能分析上具有重要的指导作用。
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公开(公告)号：CN110970147A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911082896.1
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于X射线成像技术领域，具体为一种高分辨率硬X射线钨/金菲涅尔波带片及其制备方法。本发明步骤包括：在氮化硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在电镀种子层上生长金属钨；在衬底上旋涂PMMA正性光刻胶，烘烤固化；利用电子束光刻机进行曝光；进行显影，然后用IPA漂洗，获得光刻胶波带片结构；以光刻胶为掩膜，在上层进行纳米电镀金，得到上层金波带片；将上层金波带片放入反应离子刻蚀机中，以金波带片为掩模对金属钨进行刻蚀，将图形转移，得到钨/金菲涅尔波带片。该波带片具有大高宽比（大于20/1）的高分辨。本发明方法也可用于制备软X射线至硬X射线检测的菲尼尔波带片透镜；得到的纳米图形结构形貌可控；与现有半导体工艺相兼容。
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