一种全硅基红外偏振光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119984352A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411910137.0

    申请日:2024-12-24

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于光学传感技术领域,具体为全硅基红外光伏偏振光电探测器及其制备方法。本发明根据内光电发射过程,利用光热电子效应,确立在硅纳米线中由外部注入的非平衡热载流子的定向漂移引发光电流的新机制;通过有限差分时域法对器件结构参数优化,设计得到具有高偏振比、在短波红外波段有光电响应率的全硅基红外光伏偏振光电探测器;包括衬底、硅纳米线、金属天线、两个金属电极;探测器分为有源区和无源区,有源区存在金属天线,无源区不存在金属天线。本发明探测器具有室温工作、可调谐高偏振电流比、高响应率、零偏压、低功耗、与CMOS工艺兼容等优势;解决了传统偏振成像系统体积庞大、沉重、成本高等问题,在偏振成像领域具有广阔应用前景。

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