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公开(公告)号：CN102832198A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210360376.4
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Co-Ru层材料作为铜互连结构的籽晶层。本发明用等离子原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长的Co-Ru材料籽晶层，淀积的薄膜能够具有良好的粘附性。此外，通过调节Co-Ru材料籽晶层中的Co和Ru比例，可以获得较佳的粘附特性。本发明的优点是可以提电镀铜与籽晶层的粘附特性性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。
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公开(公告)号：CN102403367A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110397385.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种高迁移率MOS电容及其制作方法。本发明提出的MOS电容结构依次为迁移率衬底、三甲基铝钝化层、HfO2栅介质层和电极。其制作方法包括：清洗高迁移率衬底，衬底表面形成三甲基铝钝化层，ALD淀积HfO2栅介质，制作电极。本发明中的三甲基铝钝化层可以减小衬底表面的残余氧化物含量从而减小与栅介质材料的界面态密度，改善界面特性。所淀积的HfO2介质层具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，因此可大大提高MOS电容的电学特性，从而提高MOS晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN116885031A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310890403.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 复旦大学义乌研究院
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器及其制备方法。本发明首先在Si衬底上生长SiO2，再将本征的Ga2O3纳米带机械剥离转移到已制备金属标记的SiO2薄膜衬底上，并在纳米带的两边对称制备接触电极，紧接快速热退火以形成欧姆接触；然后继续在纳米带上制备肖特基接触电极，最后，特定尺寸的Pt等离激元阵列被制备在纳米带的表面，从而得到Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器。本发明的Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应度，快速的响应时间，在军事、环境监测、医疗、通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116456816A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310338732.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在Si/SiO2衬底上采用磁控溅射沉积形成底电极，然后，采用原子层沉积技术生长ZrO2籽晶层，在籽晶层上依次生长氧化铪基铁电薄膜和氧化铝覆盖层，并采用快速热退火形成铁电相，最后利用光刻、电子束蒸发、剥离制备顶电极得到铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过添加氧化锆ZrO2作为氧化铪基铁电薄膜的籽晶层，来优化氧化铪基铁电薄膜与底电极之间的界面，增加了退火后铁电薄膜中铁电相的成分，实现高性能的电容存储功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541671B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010319722.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/003 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种驱动能力可自适应调整的输出驱动电路，受外部电路的控制时钟信号Clk‑ctrl以及上电信号Start‑up控制，用于提供集成电路的驱动电流，其特征在于，包括：P端反相器链、N端反相器链、n(n为任意正整数)个P端输出反相器、n个N端输出反相器、n个P端输出PMOS管、n个N端输出NMOS管、n个P端输出反相器控制开关、n个N端输出反相器控制开关、采样开关SW、输入数据开关Kin和测试数据开关Kcal、高速比较器阵列、误差过滤电路、负载判别电路、驱动电流选择电路、输入脉冲频率判别电路以及控制器电路。
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公开(公告)号：CN110589875B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910873471.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线多级异质结构。本发明的制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与MEMS工艺兼容等优点。制得的多级复合气敏纳米材料能够对1 ppm级微量硫化氢实现超灵敏、高选择性探测，同时能够对有机挥发性气体进行微量检测，进而为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN113541671A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010319722.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/003 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种驱动能力可自适应调整的输出驱动电路，受外部电路的控制时钟信号Clk‑ctrl以及上电信号Start‑up控制，用于提供集成电路的驱动电流，其特征在于，包括：P端反相器链、N端反相器链、n(n为任意正整数)个P端输出反相器、n个N端输出反相器、n个P端输出PMOS管、n个N端输出NMOS管、n个P端输出反相器控制开关、n个N端输出反相器控制开关、采样开关SW、输入数据开关Kin和测试数据开关Kcal、高速比较器阵列、误差过滤电路、负载判别电路、驱动电流选择电路、输入脉冲频率判别电路以及控制器电路。
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公开(公告)号：CN113504374A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110636010.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种利用Fe3O4@MXene核壳结构纳米复合物实现β‑淀粉样蛋白精确检测的方法。其采用FAM修饰的β‑淀粉样蛋白适配子（FAM‑aptAβ）作为荧光供体，Fe3O4@MXene核壳结构纳米复合物作为荧光受体。利用MXene的荧光淬灭性质达到FAM‑aptAβ荧光淬灭，利用Aβ与FAM‑aptAβ的强亲和性达到荧光恢复，不同浓度Aβ达到不同的荧光恢复效果，最终利用多体积微流控芯片作为荧光检测装置实现Aβ的精确检测。本发明方法克服了传统检测方法需要大型设备，检测精度低，周期长的缺陷，实现了疾病标志物的快速、精确检测，对临床疾病标志物的即时检验的具有重要借鉴价值。
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公开(公告)号：CN111874954A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010710054.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳颗粒修饰的介孔氧化铁纳米棒结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用自牺牲模板法，对溶剂热法制备得到的模板材料Fe-MOF纳米棒进行一步煅烧的工艺，得到了碳颗粒修饰的介孔氧化铁纳米棒异质结构。本发明的材料制备方法具有成本低、合成工艺简单、制备效率高和可规模化生产等优点。制得的异质气敏纳米材料能够对ppb级微量丙酮气体实现超灵敏、高选择性探测，不仅能够广泛应用于化工产业和实验室等气体泄漏排放的监测，同时应用于人体呼出气检测可实现对I型糖尿病的筛查，应用于环境检测和医疗健康领域。
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