-
公开(公告)号：CN116456816A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310338732.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在Si/SiO2衬底上采用磁控溅射沉积形成底电极，然后，采用原子层沉积技术生长ZrO2籽晶层，在籽晶层上依次生长氧化铪基铁电薄膜和氧化铝覆盖层，并采用快速热退火形成铁电相，最后利用光刻、电子束蒸发、剥离制备顶电极得到铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过添加氧化锆ZrO2作为氧化铪基铁电薄膜的籽晶层，来优化氧化铪基铁电薄膜与底电极之间的界面，增加了退火后铁电薄膜中铁电相的成分，实现高性能的电容存储功能。
-
公开(公告)号：CN117202774A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311401643.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化铪基铁电电容器的制备方法，应用于低电场操作中，包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层的表面形成第一氧化铪基铁电薄膜层；在第一氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第一插入层；在第一插入层的表面形成第二氧化铪基铁电薄膜层；在第二氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第二电极层；其中，第一电极层、第一氧化铪基铁电薄膜层、第一插入层、第二氧化铪基铁电薄膜层以及第二电极层沿远离衬底的方向依次堆叠于衬底上，以形成氧化铪基铁电电容器；在第一温度的条件下，对氧化铪基铁电电容器进行退火处理；其中，第一温度为：330～450℃。本发明提供的技术方案，实现了在低热预算的条件下，制备性能优异的铁电电容存储器的问题。
-
公开(公告)号：CN116825812A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310752146.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在衬底上沉积W电极，并使用紫外光刻、干法刻蚀进行栅电极隔离，然后，生长氧化铪基铁电薄膜，接着继续沉积W作为金属牺牲层，将所得结构进行快速热退火形成铁电相后将W牺牲层去除，紧接着生长氧化铪薄膜作为界面阻挡层，在此之后，沉积铟镓锌氧作为半导体沟道并通过光刻、湿法刻蚀等工艺形成沟道区域，最后制备源漏电极得到铁电存储晶体管。在本发明的铁电存储晶体管结构中，通过添加氧化铪作为半导体沟道与氧化铪基铁电薄膜的界面阻挡层，来阻挡铁电存储晶体管在不断地擦除和写入过程中的界面注入以及降低界面缺陷，实现高性能的数据存储功能。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.012 seconds)
