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公开(公告)号：CN114262934B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111591180.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铌酸镁单晶纳米片及其制备方法和应用，属于功能材料技术领域。本发明采用化学气相传输法结合氟金云母片的空间限域作用，并利用氟金云母片本身提供MgO前驱体，成功制备得到了铌酸镁单晶纳米片，且厚度均匀，表面平整，结晶性好，可以很好地运用于二维场效应晶体管的栅极绝缘层，提高晶体管中的载流子迁移率，进而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113707560A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010435764.9
申请日：2020-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显，以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下：一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧，然后进行退火处理；二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层，然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层，并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效，不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内，可有效地改善TMDs的电接触。
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公开(公告)号：CN113759150B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111058085.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01Q60/30
Abstract: 一种电场耦合下KPFM原位测试二维材料异质结电学性能的方法，属于扫描探针显微镜成像领域。所述方法具体为：在带有300nm氧化层的硅片基底上利用热蒸镀的方法制备两个Cr/Au电极，两个电极之间的距离为5‑30um；通过键合机将金线与Cr/Au电极相连，随后金线直接与外接源表连接，利用外接源表对二维材料异质结施加直流电压，在外加电场的作用下利用扫描探针显微镜原位观察二维材料及其异质结构的形貌及其电学特性。本发明构筑了二维材料异质结构的器件，通过外接源表，原位测试二维材料及其异质结构在电场调控下其形貌与电学性能的变化，对理解分析二维材料异质结界面处能带排列及界面处的电荷转移机制具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN116157004A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310255164.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及忆阻器件技术领域，尤其涉及一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法首先采用云母限域空间辅助化学气相运输法(CVT法)合成的TiS3纳米片，具有规则的形状、较大的二维尺寸、厚度较小、结晶质量高，用其构筑的晶体管具备较好的电学性能；接着采用激光原位氧化所述TiS3纳米片形成TiS3/TiO2/TiS3横向异质结，激光氧化灵活度高、可控性强，可以根据需要设计异质结的沟道形状；所述制备过程简单快速、在室温大气环境下进行，无苛刻的实验环境要求；制备得到的异质结界面清晰、质量较好，可以较好的实现模拟忆阻器功能和模拟突触可塑性等功能。
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公开(公告)号：CN115684654A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211350209.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种准确测量双电层电势分布的方法，属于界面特性调控领域，涉及固态电解质基底和二维材料双电层器件，结合开尔文探针力显微镜的表面电势测量方法调控表征双电层界面特性。本发明是要解决现有的离子双电层器件界面不清晰，无法阐述微观纳米尺度下双电层结构、离子迁移的运行规律的技术问题。本发明通过调节固态电解质基底材料的栅极电势调节界面双电层电场，以开尔文探针力显微镜测试二维材料表面电势分布，获得随双电层界面电场变化趋势。本发明以固态电解质为依托暴露双电层界面，结合开尔文探针力显微镜实现在微纳米尺度下对双电层结构以及电势分布的准确表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115094466A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210628573.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂的制备方法，属于电催化制氢技术领域。本发明解决了现有高温化合物碳化钨难以纳米化，以及碳化钨较弱的电催化活性的问题。本发明采用模板法辅助制备空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂，由于该催化剂具有独特的空心十二面体结构，不仅可以增加催化剂与电解液的接触面积，还增加活性位点的数量。同时在空心碳十二面体封装双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂中由于W2C的引入还可以调节WC的电子结构，改善在析氢过程中对H+的吸附能，从而促进析氢反应的进行，提升活性位点的催化能力。
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公开(公告)号：CN114262934A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111591180.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铌酸镁单晶纳米片及其制备方法和应用，属于功能材料技术领域。本发明采用化学气相传输法结合氟金云母片的空间限域作用，并利用氟金云母片本身提供MgO前驱体，成功制备得到了铌酸镁单晶纳米片，且厚度均匀，表面平整，结晶性好，可以很好地运用于二维场效应晶体管的栅极绝缘层，提高晶体管中的载流子迁移率，进而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN112310239B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910700544.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/0445 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种ALD结合银纳米线增强法制备高性能ZnO薄膜紫外探测器的方法，属于光电器件技术领域。该方法是在硅片基板上涂覆一层厚度均一的Ag纳米线层；采用原子层沉积法在Ag纳米线层的表面制备ZnO薄膜，获得银纳米线增强的ZnO薄膜；将银纳米线增强的ZnO薄膜进行热处理，得ZnO薄膜紫外探测器。本发明制备的银纳米线增强ZnO基紫外探测器具有等离子激元增强效果，该探测器可有效探测紫外波段的响应光，可以作为紫外探测器的核心组件，适用于应用在航空航天、宇宙探索、民用监测等各领域中。
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公开(公告)号：CN113870922A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111144415.2
申请日：2021-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法，属于电子和光电子领域。所述复合型器件包括金属、二维硒化铟、二维硒化镓、栅极介质层。本发明器件采用但不限于机械剥离的方法获得二维纳米片，器件自下而上分别为栅极介质层、二维硒化镓和二维硒化铟层，金属电极与二维硒化铟层接触，金属电极采用但不限于热蒸镀的方法制备。本发明通过调节异质结界面处的能带排列及电荷转移的方式，构筑同时兼备电存储、光存储的GaSe/InSe多功能器件，具有永久光电流和负光电导存储特性，简化了器件结构，实现功能器件的集成。
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公开(公告)号：CN108690920A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810517234.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C22C9/00 , C22C1/05 , C22C32/0021 , H01H1/025
Abstract: 一种复杂导电氧化物改性铜基电接触材料及其制备方法，涉及一种铜基电接触材料及其制备方法。本发明是要解决低压电器开关分断触头寿命短的问题。复杂导电氧化物改性铜基电接触材料按质量百分比由复杂导电氧化物、镧、锆和余量的铜组成；复杂导电氧化物的分子式为ZnxCd(2‑x)SnO4，分子式中x为0～2。制备方法：称取二水醋酸镉、二水醋酸锌、五水氯化锡和铜合金粉末并分别溶于蒸馏水中搅拌得到悬浊液，调整pH值，得到沉淀物，洗涤，真空干燥，煅烧，过筛，冷压成型，烧结，挤压或轧制。本发明材料制备的触头件具有较高的接触导电能力、自灭弧能力、与基体润湿性和耐电弧烧蚀性。本发明适用于制备铜基电接触材料。
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