公开(公告)号：CN112310239B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201910700544.1

申请日：2019-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  林铁松 ,  徐成彦 ,  石志远

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种ALD结合银纳米线增强法制备高性能ZnO薄膜紫外探测器的方法，属于光电器件技术领域。该方法是在硅片基板上涂覆一层厚度均一的Ag纳米线层；采用原子层沉积法在Ag纳米线层的表面制备ZnO薄膜，获得银纳米线增强的ZnO薄膜；将银纳米线增强的ZnO薄膜进行热处理，得ZnO薄膜紫外探测器。本发明制备的银纳米线增强ZnO基紫外探测器具有等离子激元增强效果，该探测器可有效探测紫外波段的响应光，可以作为紫外探测器的核心组件，适用于应用在航空航天、宇宙探索、民用监测等各领域中。

公开(公告)号：CN112310239A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910700544.1

申请日：2019-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  林铁松 ,  徐成彦 ,  石志远

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种ALD结合银纳米线增强法制备高性能ZnO薄膜紫外探测器的方法，属于光电器件技术领域。该方法是在硅片基板上涂覆一层厚度均一的Ag纳米线层；采用原子层沉积法在Ag纳米线层的表面制备ZnO薄膜，获得银纳米线增强的ZnO薄膜；将银纳米线增强的ZnO薄膜进行热处理，得ZnO薄膜紫外探测器。本发明制备的银纳米线增强ZnO基紫外探测器具有等离子激元增强效果，该探测器可有效探测紫外波段的响应光，可以作为紫外探测器的核心组件，适用于应用在航空航天、宇宙探索、民用监测等各领域中。

公开(公告)号：CN109486370A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811345722.5

申请日：2018-11-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  林铁松 ,  石志远

IPC: C09D165/00 ,  C09D125/18 ,  C09D5/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/36 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明公开了一种具有改性PEDOT:PSS保护层的金属网格透明电极及其制备方法，属于金属网格透明电极技术领域。该方法是用含NH2+和NH3+基团的强碱性溶液将pH值为1.5-2.5的PEDOT:PSS水溶液中和至pH值为7.0-7.5，对pH值为7.0-7.5的PEDOT:PSS水溶液进行掺杂处理，得改性PEDOT:PSS水溶液，将其涂覆到金属网格透明电极上，经过烘干处理后，在金属网格透明电极上形成均匀的改性PEDOT:PSS薄膜作为保护层。本发明通过在金属网格透明电极上添加改性PEDOT:PSS防护层，可以增加金属网格透明电极的长期使用稳定性，本发明方法适用于加工金属网格透明电极。