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公开(公告)号：CN118374875A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311079357.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明属于半导体材料与半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法。本发明沿着保护气体流动的方向，间隔设置硫粉和氯氧化铋粉体，所述硫粉位于所述氯氧化铋粉体的上游，在所述氯氧化铋粉体的上方设置衬底；加热所述硫粉和所述氯氧化铋粉体，在所述衬底的表面通过化学气相沉积得到一维铋硫氯单晶。本发明提供的制备方法原料易得，采用的化学气相沉积(CVD)的方法具有反应温度低的特点，同时能够大规模的合成BiSCl纳米线单晶，且畴长可调，结晶性好，可以很好地运用于一维纳米线的偏振光电探测器中。
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公开(公告)号：CN117317269A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311449849.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂及其制备方法和应用，所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴以单原子形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中，铂以单原子和团簇形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中。所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴元素含量为0.1～1wt％，铂元素含量为1～3wt％，氮元素含量为1～5wt％。以克服传统电催化材料形态不规则、活性位点低、电子传输率低、活性中心分布不均匀等缺点。属于可持续能源技术领域。
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公开(公告)号：CN119310676A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411747211.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，提供了一种柔性自支撑垂直光波导阵列及其制备方法和应用。本发明采用可紫外固化的SU‑8聚合物作为光波导材料，利用简单的涂覆、光刻和ICP刻蚀工艺，在衬底上制备出垂直光波导阵列，之后制备柔性支撑层并将衬底去除，即得到柔性自支撑垂直光波导阵列。本发明提供的柔性自支撑垂直光波导阵列能够解决图像传感器的光电串扰问题，提高弱光环境中的探测灵敏度，还具有极佳的柔性，能够与图像传感器表面实现共形贴合；并且，本发明的柔性自支撑垂直光波导阵列不依赖图像传感器的像素尺寸，制备过程独立于图像传感器的制备过程，通用性强，灵活性好。
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公开(公告)号：CN119542128A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411622354.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法。本发明在磷化铟单晶衬底表面覆盖单层石墨烯膜，再采用两段式气相外延法制备磷化铟单晶薄膜；之后将磷化铟单晶薄膜剥离并转移到硅基底表面。本发明采用两段式气相外延法，能够保护石墨烯不受破坏，提高外延膜的晶体质量；利用单层石墨烯的薄层特性及电穿透性，可以通过更换不同晶面的衬底制备定向晶面的磷化铟单晶薄膜；同时，石墨烯/外延层界面为范德华力，利用机械力即可剥离，进而实现磷化铟单晶薄膜的转移。综上，本发明能够实现特定取向磷化铟单晶薄膜、异质结薄膜乃至器件的剥离转移和硅基异质集成，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN117352754A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311449851.X
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种含铁双金属氮化物/Fe1‑N‑C棒状耦合型电催化剂及其合成方法，该棒状耦合型电催化剂为包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，其中，M为Fe以外的另一种金属，MFeN纳米点的含量在5～60wt％，M:Fe的原子比例为0.1～10，颗粒尺寸在0.5～10nm。包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，相较于传统电催化材料，具有活性位点分布均匀且密集、电荷转移效率高、气体产物释放快速、双功能性能优异等优点。本发明属于可持续能源技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115241307B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210884909.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子学和神经形态器件技术领域，提供了一种二维硫化钼‑硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法。本发明提供的光突触器件包括依次层叠设置的衬底层、介电层、二维硫化钼/硫化铌垂直异质结和电极层，该器件在底栅压和激光脉冲的共同调控下具备较好的光响应行为，还表现出良好的可持续光电导现象，能够有效实现双脉冲易化、多组态光写入和电擦除等突触行为，有望在图像传感器、神经形态器件和光响应储存设备上应用。本发明采用前驱体旋涂辅助化学气相沉积法或熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片，采用熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化铌纳米片，整个生长过程可控、工艺稳定，容易获得结晶质量较好的二维垂直异质结材料。
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公开(公告)号：CN116322290A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310257072.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及存储器件技术领域，尤其涉及一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括：在硅衬底的表面制备二维三硒化铌纳米带，得到表面有二维三硒化铌纳米带的硅衬底；在所述表面含有二维三硒化铌纳米带的硅衬底的表面涂覆光刻胶后，在所述二维三硒化铌纳米带的两端分别刻蚀出电极位点，制备电极，去胶后，进行锂化，得到所述基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件。所述制备方法制备得到的二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件具有良好的高低阻切换行为和优良的保持特性。
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公开(公告)号：CN113759150A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111058085.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01Q60/30
Abstract: 一种电场耦合下KPFM原位测试二维材料异质结电学性能的方法，属于扫描探针显微镜成像领域。所述方法具体为：在带有300nm氧化层的硅片基底上利用热蒸镀的方法制备两个Cr/Au电极，两个电极之间的距离为5‑30um；通过键合机将金线与Cr/Au电极相连，随后金线直接与外接源表连接，利用外接源表对二维材料异质结施加直流电压，在外加电场的作用下利用扫描探针显微镜原位观察二维材料及其异质结构的形貌及其电学特性。本发明构筑了二维材料异质结构的器件，通过外接源表，原位测试二维材料及其异质结构在电场调控下其形貌与电学性能的变化，对理解分析二维材料异质结界面处能带排列及界面处的电荷转移机制具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113351236A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110635844.3
申请日：2021-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种多孔氮掺杂碳基过渡金属单原子催化剂的制备方法；该制备方法包括：将氯化钠、柠檬酸、尿素、水和过渡金属氯盐混合均匀，制得混合溶液；而后将其依次进行冷冻处理和冷冻干燥，制得盐模板前驱体粉末；再将盐模板前驱体粉末在惰性气氛保护下进行热解处理。以上制备方法采用原料廉价，且氯化钠可回收，绿色无污染，生产成本低；操作简单，通用性强，适合工业化应用；所制得多孔氮掺杂碳基过渡金属单原子催化剂上过渡金属单原子具有良好分散性，无团簇或纳米粒子出现；产品多孔氮掺杂碳基过渡金属单原子催化剂具有较正的半坡电位、良好的抗甲醇性能和稳定性，电催化氧还原性能优异。
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公开(公告)号：CN110372040A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910779376.X
申请日：2019-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，涉及一种剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法。本发明是要解决现有的化学气相沉积方法制备的二硫化铼薄膜在后继处理过程中出现的有机杂质吸附和氢氟酸污染的技术问题。本发明：一、多层ReS2薄膜的制备；二、无水乙醇表面预处理；三、剥离转移。本发明利用外延生长ReS2和云母基地的晶格失配残余应力和无水乙醇在ReS2表面润湿力，无水乙醇可以在ReS2膜层表面和层间充分润湿，从而产生润湿切应力，使得不同ReS2层分离，实现了大面积单层ReS2薄膜的制备和转移。
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