公开(公告)号：CN105070777A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510458709.0

申请日：2015-07-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  郑将辉 ,  蔡丽晗 ,  杨星

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/068 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法，该无稀土下转换太阳能电池从下到上依次设置有铝背电极层、P型硅层、N+型硅层、铝(银)栅线电极，硅金字塔绒面层以及纳米下转换颗粒层，所述纳米下转换颗粒层的纳米颗粒为纳米钒酸盐。该无稀土下转换太阳能电池的制备方法包括：1)通过水热法、溶胶凝胶法、共沉淀法制备纳米钒酸盐；2)通过有机溶剂分散纳米颗粒；3)通过提拉法、旋涂法将纳米颗粒涂覆在硅金字塔绒面表面以形成纳米下转换颗粒层；4)在一定温度下，将样品电池在恒温干燥箱中烘干。该无稀土下转换太阳能电池具有光电转换效率高、工艺简单且成本低的优点。

公开(公告)号：CN103865530B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201410081674.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  应莉莉 ,  蔡丽晗 ,  郑将辉 ,  郑淞生

IPC: C09K11/63

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xB2O5:xEu3+,xNa+，其中0.01≤x≤0.20；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀，经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛，即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发，可以用于增加传统LED中的红光成分；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应，提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN102856324B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210345432.7

申请日：2012-09-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程翔 ,  史晓凤 ,  李继芳 ,  陈朝 ,  潘江炳 ,  颜黄苹 ,  卞剑涛

IPC: H01L27/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H04B10/25

Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。

公开(公告)号：CN103865530A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410081674.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  应莉莉 ,  蔡丽晗 ,  郑将辉 ,  郑淞生

IPC: C09K11/63

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xB2O5:xEu3+,xNa+，其中0.01≤x≤0.20；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀，经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛，即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发，可以用于增加传统LED中的红光成分；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应，提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN102856324A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210345432.7

申请日：2012-09-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程翔 ,  史晓凤 ,  李继芳 ,  陈朝 ,  潘江炳 ,  颜黄苹 ,  卞剑涛

IPC: H01L27/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H04B10/25

Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。

公开(公告)号：CN101719504B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200910112909.5

申请日：2009-12-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 颜黄苹 ,  程翔 ,  卞剑涛 ,  陈朝 ,  芦晶

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/08 ,  H01L21/822 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上，场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。

公开(公告)号：CN101671024B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910112547.X

申请日：2009-09-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  蔡靖 ,  李锦堂 ,  郑淞生 ,  陈文辉 ,  沈晓杰 ,  龚惟扬 ,  陈朝

IPC: C01B33/037

Abstract: 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本，高效，适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中，抽真空，加热熔化金属硅；熔化后提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1800℃，启动等离子熔炼系统，将等离子枪降至引弧装置上方，通入工作气体引弧；引弧完成后移开引弧装置，调节给定电流和等离子弧长度，对硅液表面进行等离子熔炼后，给定电流调零，断开等离子弧，升起等离子枪，关闭气源，将硅液倒入模具，静置冷却后取出硅锭。

公开(公告)号：CN101628719A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910112398.7

申请日：2009-08-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  郑淞生 ,  蔡靖 ,  陈文辉 ,  李锦堂 ,  陈朝

IPC: C01B33/037

Abstract: 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10 -2 ～1.0×10 -1 Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。

公开(公告)号：CN101343063A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810071577.6

申请日：2008-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  郑淞生 ,  蔡靖 ,  陈文辉 ,  陈朝

IPC: C01B33/037

Abstract: 太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法，涉及一种多晶硅。提供一种成本低、纯度高、工艺简单易行、操作方便和适合于规模化生产的太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法。设有真空系统、熔炼系统和定向凝固系统；真空系统设有机械旋片泵、萝茨泵和油扩散泵，熔炼系统设有真空室、二次加料器、观察窗、可升降的旋转通气装置、感应线圈和石墨坩埚；定向凝固系统设于真空室的下部，定向凝固系统设有电阻丝加热保温炉、石墨模具、保温炉支架、水冷铜盘、可控速的升降杆。通过感应加热熔化金属硅，在低真空高温条件下通入氧化性气体除硼，然后进行高温高真空除磷，最后将熔融硅液浇注入定向模具中进行严格的定向凝固除金属杂质。

公开(公告)号：CN1188914C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02154606.1

申请日：2002-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  刘宝林

IPC: H01L31/072 ,  H01L27/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 涉及一种半导体器件，尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散区，P+锌扩散区靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层，但没有到达光敏层；工艺步骤为：在外延片上生长氧化铝钝化膜，以锌作为扩散源进行开管锌扩散；用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜，暗电流降低，信噪比提高，容易制备、成本低廉、结构改进，可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺，以及此膜可用于InP材料钝化膜和锌扩散的屏蔽掩膜，也可用于InP材料的抗反射膜，提高探测器的性能。