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公开(公告)号：CN101719504A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910112909.5
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上，场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100370619C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510118918.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/14
Abstract: CMOS硅双光电探测器及其制备方法，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅双光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号：CN1773712A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510118918.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/14
Abstract: CMOS硅双光电探测器，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面，SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号：CN102856324B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210345432.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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公开(公告)号：CN102856324A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210345432.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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公开(公告)号：CN101719504B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200910112909.5
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上，场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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