-
公开(公告)号：CN104059640B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
-
公开(公告)号：CN103334155B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
-
公开(公告)号：CN104059640A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
-
公开(公告)号：CN103334155A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
-
公开(公告)号：CN105070777B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510458709.0
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/055 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法，该无稀土下转换太阳能电池从下到上依次设置有铝背电极层、P型硅层、N+型硅层、铝或银栅线电极，硅金字塔绒面层以及纳米下转换颗粒层，所述纳米下转换颗粒层的纳米颗粒为纳米钒酸盐。该无稀土下转换太阳能电池的制备方法包括：1)通过水热法、溶胶凝胶法、共沉淀法制备纳米钒酸盐；2)通过有机溶剂分散纳米颗粒；3)通过提拉法、旋涂法将纳米颗粒涂覆在硅金字塔绒面表面以形成纳米下转换颗粒层；4)在一定温度下，将样品电池在恒温干燥箱中烘干。该无稀土下转换太阳能电池具有光电转换效率高、工艺简单且成本低的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070777A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510458709.0
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/055 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/068 , H01L31/055 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法，该无稀土下转换太阳能电池从下到上依次设置有铝背电极层、P型硅层、N+型硅层、铝(银)栅线电极，硅金字塔绒面层以及纳米下转换颗粒层，所述纳米下转换颗粒层的纳米颗粒为纳米钒酸盐。该无稀土下转换太阳能电池的制备方法包括：1)通过水热法、溶胶凝胶法、共沉淀法制备纳米钒酸盐；2)通过有机溶剂分散纳米颗粒；3)通过提拉法、旋涂法将纳米颗粒涂覆在硅金字塔绒面表面以形成纳米下转换颗粒层；4)在一定温度下，将样品电池在恒温干燥箱中烘干。该无稀土下转换太阳能电池具有光电转换效率高、工艺简单且成本低的优点。
-
公开(公告)号：CN103865530B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410081674.9
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xB2O5:xEu3+,xNa+，其中0.01≤x≤0.20；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀，经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛，即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发，可以用于增加传统LED中的红光成分；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应，提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN103865530A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410081674.9
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xB2O5:xEu3+,xNa+，其中0.01≤x≤0.20；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀，经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛，即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发，可以用于增加传统LED中的红光成分；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应，提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN105036565A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510458298.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种下转换光伏玻璃及其制备方法，该下转换光伏玻璃包括超白光伏玻璃层及位于该超白光伏玻璃层一表面上的厚度为80～100nm的发光薄膜，该发光薄膜的原料为SiO2:xEu3+,xNa+，x＝0.002～0.2，该超白光伏玻璃层中Fe2O3含量为0.005％～0.01％，且具有抗反射的绒面结构。本发明的下转换光伏玻璃可以有效的吸收掉照射至太阳能电池的短波光，然后发射出能量较低的长波光，增加太阳能电池的可见光波段的光谱响应，从而提高太阳能电池的光利用率和光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103094394B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310019710.4
申请日：2013-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.02 seconds)
