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公开(公告)号：CN103972247A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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公开(公告)号：CN103401614A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310325139.9
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法，涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管；驱动电路设在基底上表面左半侧，在驱动电路左侧设有3个焊盘，在驱动电路右侧设有2个焊盘，在基底上表面右侧部分设有预留焊盘，右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接；二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上，阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路，在驱动电路上左侧形成3个焊盘；在驱动电路右侧形成2个焊盘；在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘；在右下焊盘和预留焊盘之间相连；在预留焊盘上点上银浆，将二极管阴极端面粘在焊盘上，将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。
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公开(公告)号：CN105021328A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510408223.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
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公开(公告)号：CN103401614B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310325139.9
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法，涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管；驱动电路设在基底上表面左半侧，在驱动电路左侧设有3个焊盘，在驱动电路右侧设有2个焊盘，在基底上表面右侧部分设有预留焊盘，右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接；二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上，阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路，在驱动电路上左侧形成3个焊盘；在驱动电路右侧形成2个焊盘；在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘；在右下焊盘和预留焊盘之间相连；在预留焊盘上点上银浆，将二极管阴极端面粘在焊盘上，将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。
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公开(公告)号：CN103347351B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310324878.6
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路，涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路；缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端，主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源，主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极；参考电压产生电路设有7个输出端，其中，4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路；3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压，另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103347351A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310324878.6
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路，涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路；缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端，主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源，主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极；参考电压产生电路设有7个输出端，其中，4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路；3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压，另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
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公开(公告)号：CN105021328B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510408223.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
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公开(公告)号：CN103972247B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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公开(公告)号：CN102856324B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210345432.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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公开(公告)号：CN102856324A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210345432.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片，实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成，可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求，用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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